2月22日，高通和三星几乎同时在官网上发布新闻稿，宣布高通的5G移动芯片将由三星代工，后者新的骁龙芯片将采用三星的7nm工艺！同时，三星表示，三星和高通的代工合作关系将至少维持 10 年。
去年5月，三星首秀了7nm LPP EUV工艺，预期可借此突破摩尔定律的扩展障碍，为单纳米半导体技术的发展铺平道路。同年7月，三星放言，在2018年会比对手台积电更早地量产7nm。此番再次拿下高通大订单，意味着三星这项新工艺在良品率上已经得到了较好的控制，即将开始量产。之前其曾表示采用这一工艺的芯片将会在今年的下半年进行试产，其将会在三星位于韩国华城市的三星半导体工厂生产。
三星透露，比较当前的10nm FinFET工艺，7nm LPP EUV工序较少、良率较高，将实现面积缩小40%、性能提升10%、功耗下降35%。在新工艺加持下，骁龙5G芯片组可减少占位空间，让OEM厂有更多使用空间增加电池容量或做薄型化设计。除此之外，结合更先进芯片设计，将可明显增进电池续航力，旗舰机日常使用满两天的好日子可能要来了！
今天，三星在官网还宣布，将投资60亿美元(约合人民币380亿)在韩国华城（Hwaseong）兴建新的半导体工厂，用于扩充7nm EUV的产能。该工厂已经破土动工，2019年下半年竣工，2020年之前投产。
鸟瞰华城工厂，图片来自三星官网
据悉，光刻机最核心的元件就是紫外光源，目前常见的是ArF（氟化氩），但在7nm时代，必须由波长更短的DUV（深紫外）和EUV（极紫外）进行更精细的绘制工艺。
三星将把EUV设备使用在7nm LPP（Low Power Plus）节点上，产品涵盖手机、服务器、网络设备、高性能数据中心等。
资料显示，三星在韩国还有位于Giheung（京畿道器兴）、Pyeongtaek（平泽）的半导体工厂，海外工厂则有两座，分别位于美国德州的奥斯汀和中国的西安。
2017年，三星在半导体事业中的投资达到了260亿美元，创下历史新高，这主要得益于其存储芯片的巨大需求。
