近日，韩国DRAM内存芯片巨头SK海力士宣布，位于江苏无锡的第二工厂（C2F）已经完成扩建，产出的第一批晶圆良品率也符合预期，计划今年5月正式投入量产。

据了解，SK海力士无锡二厂项目于2017年10月签约，2017年6月开工，2018年11月开始设备迁入，总投资达86亿美元，其中16亿美元用于建设3.3万平米的新厂房和附属设施，70亿美元用于引入全球最先进的内存芯片生产设备。

作为现有工厂（C2）的延伸项目，新工厂建设周期为2017到2026年，全部完成后将成为全球单体投资规模最大、月产能最大、技术最先进的10nm级别工艺内存芯片生产基地，月产能可达18万块300毫米晶圆，年销售额可达33亿美元。

目前，SK海力士占有中国内存芯片市场大约35%的份额，无锡二厂投用后有望突破45%。