今年4月初，晶圆代龙头大厂台积电宣布，其5nm制程已正式进入试产阶段，并已在开放创新平台下推出完整的5nm设计架构。现在，台积电官方又宣布，正式启动2nm工艺的研发，工厂设置在位于台湾新竹的南方科技园，预计2024年投入生产。

按照台积电给出的指标显示，2nm工艺是一个重要节点，Metal Track(金属单元高度)和3nm一样维持在5x，同时Gate Pitch(晶体管栅极间距)缩小到30nm，Metal Pitch(金属间距)缩小到20nm，相比于3nm都小了23％。

台积电没有透露2nm工艺所需要的技术和材料，看晶体管结构示意图和目前并没有明显变化，能在硅半导体工艺上继续压榨到如此地步真是堪称奇迹，接下来就看能不能做到1nm了。当然，在那之前，台积电还要接连经历7nm 、6nm、5nm、3nm等多个工艺节点。

其中，台积电的7nm 工艺将首次引入EUV极紫外光刻技术，目前已即将量产；而6nm只是7nm的一个升级版，预计明年第一季度试产；5nm工艺将全面导入EUV光刻，已经开始风险性试产，明年底之前有望实现量产，苹果A14、AMD五代锐龙(Zen 4都有望采纳)；3nm有望在2021年试产、2022年量产。三星也早就规划到了3nm，预期2021年量产。

编辑：芯智讯-林子