据韩国媒体报道，三星电子将在平泽市建设P3工厂，计划在9月开始建设，目前正在准备前期项目施工的相关事宜。据悉该工厂的生产制造规模将比P2工厂增加50%，预计将采取“综合半导体工厂”的形式，同时生产DRAM，NAND闪存和逻辑芯片，并且逻辑芯片有望采用最新的5nm EUV光刻技术。P3工厂预计将在2021年第三季度竣工，投入量产时间将从2021年底开始。

早在2017年，三星就制定了一项长远发展目标：2021年前在韩国平泽的总投资将达30兆韩元（约247亿美元），用于扩大生产制造能力。因此，近几年三星持续不断兴建项目，扩大平泽生产基地的投资。

最初，三星是在2015年投资百亿美金在平泽兴建存储器工厂（P1），这是一栋2层楼建筑，Wafer满载产能分别约10万/月和20万/月，现投产先进NAND Flash和DRAM，包括10nm级LPDDR5/DDR5和GDDR6 DRAM芯片，以及量产第五代和第六代V-NAND。

目前，三星P2工厂是以P1工厂规模于2018年投资建设，2019年完成建筑工程，是NAND Flash和DRAM混合产线。2020年上半年进行设备安装，用于批量投产第二代（1ynm）和第三代（1znm）10nm级DRAM，同时还建设一条极紫外光刻（EUV）生产线。

三星除了扩大在平泽工厂生产，也在扩大中国西安工厂的建设，继西安一期投产后，二期一阶段工厂产品正式在今年3月下线上市，主要生产第五代9X层3D V-NAND芯片，同时建设西安二期第二阶段项目，2021年下半年竣工，满足中国市场当地客户需求，以及满足全球不断增长的需求。