华虹半导体推出90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台,助力大容量MCU解决方案

华虹半导体持续打造卓越eNVM工艺平台-芯智讯

2020年8月27日消息,全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业——华虹半导体有限公司("华虹半导体"或"公司",股份代号:1347.HK)今日宣布,最新推出90纳米超低漏电(Ultra-Low-Leakage,ULL)嵌入式闪存(eFlash)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)工艺平台,满足大容量微控制器(MCU)的需求。该工艺平台作为华虹半导体0.11微米超低漏电技术的延续,以更低的功耗和成本为客户提供具有竞争力的差异化解决方案,适用于物联网、可穿戴式设备、工业及汽车电子等方面的应用。

新近推出的90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台1.5V 核心N型和P型MOS晶体管漏电达到0.2pA/μm,可有效延长MCU设备的待机时间。该平台的嵌入式非易失性存储器(eNVM,Embedded Non-Volatile Memory)IP具有10万至50万次擦写次数、读取速度达30ns等独特优势。同时逻辑单元库集成度高,达到400K gate/mm2以上,能够帮助客户多方面缩小芯片面积。

该工艺平台的最大优势是集成了公司自有专利的分离栅NORD 嵌入式闪存技术,在90纳米工艺下拥有目前业界最小元胞尺寸和面积最小的嵌入式NOR flash IP,而且具有光罩层数少的优势,帮助客户进一步降低MCU、尤其是大容量MCU产品的制造成本。该平台同时支持射频(RF)、eFlash和EEPROM。

华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示:"公司致力于差异化技术的创新和不断优化,为客户提供市场急需的、成本效益高的工艺和技术服务。在精进8英寸平台的同时,加快12英寸产线的产能扩充和技术研发。物联网、汽车电子是MCU应用的增量市场,此次90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台的推出,进一步扩大了华虹半导体MCU客户群在超低功耗的市场应用领域的代工选择空间。"

关于华虹半导体

华虹半导体有限公司("华虹半导体",股份代号:1347.HK)("本公司")是全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业,特别专注于嵌入式非易失性存储器、功率器件、模拟及电源管理和逻辑及射频等特色工艺平台,其卓越的质量管理体系亦满足汽车电子芯片生产的严苛要求。本公司是华虹集团的一员,而华虹集团是以集成电路制造为主业,拥有8+12英寸生产线先进工艺技术的企业集团。

本公司在上海金桥和张江建有三座8英寸晶圆厂(华虹一厂、二厂及三厂),月产能约18万片;同时在无锡高新技术产业开发区内建有一座12英寸晶圆厂(华虹七厂),月产能规划为4万片。华虹七厂于2019年正式落成并迈入生产运营期,成为中国大陆领先的12英寸特色工艺生产线,也是大陆第一条12英寸功率器件代工生产线。

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