在此前公布的2020年上半年财报当中，中芯国际就曾表示，第二代先进工艺（N＋1）进展順利，已进入客户产品验证阶段。近日有报道称，在大规模量产14nm工艺后，中芯国际的N＋1代工艺已经进入客户导入阶段，有望于2021年进入量产。

对此，中芯国际回应称，该公司的第一代FinFET 14nm工艺已于2019年第四季度量产，第二代FinFET N＋1工艺已经进入客户导入阶段，有望于2020年底小批量试产。

按照这样的时间表推测，如果顺利的话，中芯国际N＋1工艺确实可能会在2021年规模量产。

N+1是中芯国际对其第二代先进工艺的代号，但中芯国际并未透露具体的数字节点。根据中芯国际联席CEO梁孟松博公布的信息显示，的N＋1工艺和现有的14nm工艺相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。从逻辑面积缩小的数据来看，与7nm工艺相近。

梁孟松博士也表示，N＋1代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似，但性能要低一些（业界标准是提升35%），所以中芯国际的N＋1工艺主要面向低功耗应用的。而在N＋1之后，中芯国际还会有N＋2，这两种工艺在功耗上表现差不多，区别在于性能及成本，N＋2显然是面向高性能的，成本也会增加。

编辑：芯智讯-林子