12月7日消息，存储芯片大厂SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，TLC颗粒，容量达512Gb（64GB）。

据，SK海力士透露，该闪存单元架构为CTF（电荷捕获），同时集成了PUC技术，堆叠层数达到了176层，每片晶圆可以切割更多有效的闪存硅片。除了容量增加35%，闪存单元的读取速度也提升了20%，使用加速技术可使得传输速度加快33%到1.6Gbps。SK海力士将其称之为“4D闪存”。

SK海力士预计相关产品明年年中上市，目前主控厂商已经在测试样品，预计会在手机闪存领域首发，目标是70%的的读速提升和35%的写速提升，后续还会应用到消费级SSD和企业产品上。

另外，SK海力士已经表示，正在开发1Tb（128GB）容量的176层4D闪存。显然，今后手机可以在更紧凑的空间内做到大容量ROM空间了。