根据最新的数据显示，光刻机大厂ASML的极紫外光（EUV）光刻机在12月中完成了第100台EUV光刻机的出货，预估2021年其EUV曝光机产能可达45～50台规模，这也意味着EUV光刻机出货进入高速成长阶段。

由于台积电、三星、英特尔、SK海力士等半导体大厂均全力布建EUV生产线，ASML的EUV光刻机的出货量将会持续增长。

半导体制程跟随摩尔定律持续微缩，EUV光刻技术成为关键。以逻辑制程来看，台积电及三星晶圆代工的5nm制程已量产，平均每片晶圆的EUV光罩层达10～14层，与采用EUV的7nm相较增加一倍，至于3nm EUV光罩层将提升至20层以上，对极紫外光光罩盒(EUV Pod)的需求量呈现等比级数成长。

至于英特尔基于EUV技术的7nm已试产并加速进行良率提升，预期2022年之后将导入量产。半导体设备业者预估，英特尔7nm EUV光罩层有望逐步接近台积电晶的5nm水准，英特尔的5nm采用的EUV光罩层将会与台积电3nm相当，这也是为何英特尔现阶段已积极巩固EUV Pod供货产能的原因。

此外，三星及SK海力士已开始扩建采用EUV技术的DRAM产线，美光虽然还未表态但已开始招兵买马预作准备。据业界消息，韩系存储厂第一代EUV的DRAM制程约采用2层EUV光罩层，但第二代将增加至4层。由于DRAM厂投片规模庞大，单一厂区的月投片量高达20～30万片，若全数转成EUV技术则对EUV Pod的总需求量并不输给晶圆代工厂。

ASML 2020年EUV设备产能大概有35台出货量，12月中第100台EUV光刻机已正式出货，2021年产能将提升至45～50台，包括台积电、三星、英特尔等半导体大厂都积极建置EUV产能及备品供应链。

由于全球EUV Pod只有中国台湾的家登精密及美国的英特格（Entegris）两家供应商获得ASML及各半导体厂认证，且家登与英特格和解后的市占率已明显拉升，2021年接单大爆发且订单能见度看到年底，来自晶圆代工厂、IDM厂、存储厂的订单都较2020年增加逾一倍。

编辑：芯智讯-林子   来源：工商时报