日前，日经亚洲评论援引消息人士的话报道称，长江存储计划今年将产量提高一倍至10万片晶圆，同时长江存储还计划最早将于2021年年中试产第一批192层3D NAND闪存芯片。不过为确保量产芯片质量，该计划有可能会被推迟至今年下半年。对此，1月13日，长江存储官方微信号发布声明进行回应。

长江存储在声明中指出：

近日，长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”或“我司”）发现个别境外媒体通过多种渠道刊登、散布关于我司产能建设、产品销售等不实言论，长江存储特此发表严正声明：

长江存储自2016年7月成立至今，始终秉承守法合规的经营理念，在国内外各项实际工作中，长江存储严格遵守当地的法律法规，所提供的产品与服务面向商用及民用客户。关于公司下一步建设计划具体情况请以公司官方渠道为准。

长江存储将保留对发布不实报道与言论的境内外个别媒体和记者，以及转发或协助散播不实报道的组织或个人依法追究法律责任的权利。

图片来源：长江存储