近日，在SEMICON China大展的功率与化合物半导体国际论坛上，闻泰科技副总裁吴友文演讲中表示，“第三代化合物功率半导体将全方位助力电动车零排放革命”。电动汽车的未来是“行驶里程延长、充电时间缩短，电池容量更大”，第三代化合物功率半导体将是实现该项目标的关键性因素。

在十四五规划纲要中，“集成电路”领域特别提出了碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体要取得发展，再一次将第三代化合物半导体推向了聚焦的中心。

有行业人士分析，写入十四五规划，意味着这一产业将在未来的发展中获得国家层面的大力扶持，有望成为我国打破欧美发达国家在第二代半导体领域技术垄断的突破口。

闻泰科技副总裁吴友文认为，第三代化合物半导体具备耐高温、高开关频率、低导通电阻、高效率、化学性质稳定等优异特性。据相关数据，使用碳化硅MOSFET的电动车比使用硅基IGBT电动车将增加5-10%的续航里程。因此，在轨道交通领域，碳化硅、氮化镓器件被认为有望逐步取代硅基IGBT。

近年来，随着材料生长、器件制备等技术的不断突破，第三代半导体的性价比优势逐渐显现，并正在打开应用市场，未来将随着成本下降而带来渗透率的提升。虽然市场目前仍由美国、日本、欧洲主导，但不少中国企业开始崭露头角。

闻泰科技方面对银柿财经透露，旗下安世半导体2019年年底已经发布GaN FETs产品，2020年原型研发导入后，即将迎来大规模出货，SiC二极管也已经出样。

来源: 银柿财经