12月22日消息，近日证监会发布消息称，已按法定程序同意东微半导体股份有限公司（以下简称“东微半导体”）科创板首次公开发行股票注册。

根据招股说明书（注册稿）显示，东微半导体此次拟募集资金9.39亿元，扣除发行费用后将投资于超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目、新结构功率器件研发及产业化项目、研发工程中心建设项目、以及科技与发展储备资金。

资料显示，东微半导体成立于2008年，是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级领域的高压超级结和中低压功率器件产品领域实现了国产化替代。

自成立以来，东微半导体完成了多轮增资和股权转让，同时也获得了众多知名投资机构的青睐，其中包括华为旗下投资平台哈勃投资等。

2020年4月，哈勃投资与东微半导体股东签署《增资协议》，约定哈勃投资向东微半导体投资7530万元。注册稿显示，目前，哈勃投资持有东微半导体6.5913%的股份，为东微半导体的第六大股东。

作为国内最早在12英寸晶圆产线实现量产的功率半导体设计公司之一，东微半导体近年来无论在技术研发还是财务方面均取得了不错的成绩。

注册稿显示，2016年4月，东微半导体推出的GreenMOS系列超级结MOSFET产品打破了国外厂商在充电桩功率器件领域的垄断地位。2021上半年度，东微半导体实现了IGBT产品的量产与销售，产量为18.98万颗，销量为2.52万颗。

业绩方面，受益于新能源汽车充电桩、通信电源、光伏逆变器等终端市场需求快速提升，2018年-2020年，东微半导体的营收分别为1.53亿元、1.96亿元、和3.09亿元，净利润分别为1890.70万元、815.81万元、和2040.26万元。2021年1-9月，东微半导体的营收为5.59亿元，同比增长183.11%。

值得一提的是，考虑到功率器件的迭代正在不断朝第三代半导体材料以及集成化、模块化发展，东微半导体目前也在积极布局第三代半导体材料，并实现了碳化硅功率器件的样品。

2021年7月，东微半导体立项了第三代半导体SiC功率器件自主研发项目，主要针对以碳化硅为衬底的第三代半导体材料功率器件进行研发，不过目前该项目尚处于立项阶段。

东微半导体表示，结合公司战略发展的目标，在产业并购及整合的用途中，公司考虑重点在汽车级功率器件设计、SiC 功率器件设计以及模块设计应用等方向投资并购国内外优质企业。