3月29日消息，据台湾媒体报道，近日业内传出消息称，中国NAND Flash（闪存）芯片大厂长江存储（YMTC）今年正式打入苹果iPhone的Flash供应链。根据长江存储已出货时程看，应是打入了苹果刚发布的iPhone SE 3供应链。

苹果iPhone的Flash供应商此前主要为SK 海力士和铠侠（Kioxia），因此长江存储成功打入iPhone供应链，也反应了其在NAND Flash技术上已经赶上了国际大厂。同时也意味着在政府的支持下，中国的NAND Flash产业发展卓有成效。

据产业分析师透露，由于长江存储技术皆是自行开发，其闪存均基于自研的Xtacking架构，因此没有专利问题。

资料显示，长江存储成立于2016年7月，由紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产业投资基金、湖北科投在武汉新芯的基础上组建成立。据统计，长江存储总投资约1600亿元。

2016年12月，以长江存储为主体的国家存储器基地正式开工建设，其中包括3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑，预计项目建成后总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。

依托武汉新芯已有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础，采取自主研发与国际合作双轮驱动的方式，长江存储已于2017年研制成功了中国第一颗3D NAND闪存芯片。而随着2018年长江存储的32层NAND Flash的量产，国产闪存芯片终于实现了重大突破。不过，由于该技术与国际主流技术相差较大，所以并未在市场获得成功。

2019年9月长江存储正式宣布，成功量产基于自研的Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND Flash。据长江存储介绍，该闪存满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求，与目前业界已上市的64/72层3D NAND闪存相比，其拥有同代产品中更高存储密度。

随后长江存储的64层256Gb TLC 3D NAND闪存还成功打入了华为Mate40系列的供应链。

为了进一步缩短与三星、SK海力士、铠侠等公司的差距，长江存储跳过了96层，直接进行了128层3D NAND Flash的研发。

2020年4月13日，长江存储宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

据介绍，长江存储X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），单颗容量512Gb(64GB)，以满足不同应用场景的需求。

2020年8月，长江存储又推出自有存储品牌“致钛”，随后推出了一系列自有品牌SSD产品，并在市场上获得了不错的表现。

去年10月，国外权威研究机构Tech Insights对长江存储的128层TLC 3D闪存进行了芯片级的拆解，发现其存储密度达到了目前业界最高的8.48 Gb/mm²，远高于三星、美光、SK海力士等一线NAND芯片大厂。

最新的消息显示，目前长江存储已具备192层3D闪存生产能力。并且在月产能方面，可能已经达到了仅10万片的规模。

虽然长江存储在存储技术上正在快速追赶国际一线厂商，并且差距也正在缩小，但是不可否认的是，目前差距依然存在，特别是产能上的差距。要知道目前仅三星一家的NAND Flash的产能已经达到了约50万片/月的规模。

随着此次长江存储的NAND Flash成功打入iPhone供应链，势必将进一步助力长江存储的对于三星、SK海力士、铠侠等头部厂商的追赶。

编辑：芯智讯-浪客剑