6月20日消息，据 BusinessKorea 报道，三星电子正计划通过在未来三年内打造2纳米GAA（Gate-all-around）工艺来追赶台积电。

据悉，GAA 是下一代工艺技术，改进了半导体晶体管的结构，使栅极可以接触到晶体管的所有四面，而不是目前 FinFET 工艺的三面，GAA 结构可以比 FinFET 工艺更精确地控制电流。

根据 TrendForce 的数据，在 2021 年第四季度，台积电占全球代工市场的 52.1%，远远超过三星电子的 18.3%。

三星电子正押注于将 GAA 技术应用于3纳米工艺，以追赶台积电。据报道，这家韩国半导体巨头在6月初将3纳米GAA工艺的晶圆用于试生产，成为全球第一家使用GAA技术的公司。三星希望通过技术上的飞跃，快速缩小与台积电的差距。3 纳米工艺将半导体的性能和电池效率分别提高了 15% 和 30%，同时与 5 纳米工艺相比，芯片面积减少了35%。

继今年上半年将 GAA 技术应用于其 3 纳米工艺后，三星计划在 2023 年将其引入第二代 3 纳米芯片，并在 2025 年大规模生产基于 GAA 的 2 纳米芯片。台积电的战略是在今年下半年使用稳定的 FinFET 工艺进入 3 纳米半导体市场，而三星电子则押注于 GAA 技术。

专家称，如果三星在基于 GAA 的 3 纳米工艺中保证了稳定的产量，它就能成为代工市场的游戏规则改变者。台积电预计将从 2 纳米芯片开始引入 GAA 工艺，并在 2026 年左右发布第一个产品。对于三星电子来说，未来三年将是一个关键时期。

最近，三星宣布，在未来五年内，将在半导体等关键行业投资共计 450 万亿韩元（约 2.34 万亿元人民币）。然而，三星在 3 纳米工艺良率方面遇到了障碍。与三星一样，台积电在提高 3 纳米工艺的产量方面也有困难。

台积电原本计划从 7 月开始用 3 纳米技术为英特尔和苹果大规模生产半导体，但据DigiTimes 报道称，台积电在确保 3 纳米工艺的理想产量方面遇到了困难，因此多次修改其技术路线图。

三星电子也面临着类似的情况，3 纳米工艺的试生产用晶圆已经投入使用，但由于良率低的问题，该公司一直在推迟宣布正式的大规模生产。现代汽车证券的研究主管 Roh Keun-chang 说：“除非三星电子为其 7纳米 或更先进的工艺确保足够的客户，否则可能会加剧投资者对三星电子未来业绩的焦虑。