6月29日消息，据韩国媒体BusinessKorea报道称，三星将于明日（6月30日）宣布正式量产3nm GAA制程。

TheElec则援引消息人士的话透露称，已有客户向三星订购3nnm晶圆代工，第一个客户是大陆加密货币挖矿机芯片厂上海磐矽半导体技术有限公司；此外，三星的大客户高通也下单生产3nm芯片，但会视情况投片。

资料显示，上海磐矽半导体技术有限公司成立于2016年3月，注册资本4500万元人民币，经营范围包括：从事电子元器件的研发、销售，集成电路的研发、销售，芯片的设计、研发、销售以及系统集成，从事计算机科技、智能科技、网络科技领域内的技术开发、技术服务、技术咨询、技术转让，计算机软硬件、计算机系统集成的研发、销售，从事货物与技术的进出口业务。

不过，芯智讯并未找到更多的相关资料，该公司官网也仅有一个展示页面，称公司总部位于上海，是一家设计能力为28nm、16nm和10nm ASIC的高科技初创公司，专注于数字加密货币和Al应用的ASIC设计。企查查上显示的企业参保人数也仅有 3 人。

在晶圆代工市场，三星一直力图在先进制程的量产进度上超越台积电。去年10月，三星就宣布将抢先台积电在今年上半年量产3nm工艺。同时，为了在技术上也能够超越台积电，三星也率先将全新的GAA（Gate-all-around，环绕栅极）架构引入到了3nm工艺当中。相比之下，台积电的3nm工艺仍延续了此前的FinFET（鳍式场效应晶体管）架构，而量产时间则是在今年下半年。

根据三星此前透露的数据显示，采用GAA晶体管技术的 3nm 制程工艺，与目前FinFET架构的5nm相比，性能将提升 30%，能耗降可低 50%，逻辑面积效率提升超过45%。

不过，今年2月，三星的4nm、3nm先进制程工艺被曝“良率造假”。随后，根据韩国媒体Business Post今年4月的爆料显示，当时今年年初三星4nm工艺良率仅35%，相比之下，台积电4nm制程良率则高达约70%，这也使得高通将改良版的骁龙8＋ 交给了台积电4nm代工。而3nm GAA 架构制程的良率今年年初时仅10%~20%。

三星随后驳斥了这种说法，表示良率问题并不存在，量产时间也会照计划进行。

本月，韩国知名芯片分析师、HMC 投资证券公司研究中心主管Greg Roh 接受采访时表示，三星3nm制程良率提升速度远高于市场预期，新增客户速度相当快。

若三星明日抢先宣布 3nm 制程制程工艺的量产的话，那么则意味着三星可能已经解决了良率问题，抢先台积电量产3nm制程。另外，根据三星的计划，继3nm GAA工艺量产之后，还将在2023年推出第二代 3nm GAA制程工艺，并在 2025 年量产2nm GAA制程工艺。

编辑：芯智讯-浪客剑