​继不久前三星宣布其3nm GAA制程芯片量产出货之后，传三星第二代3nm GAA制程预计将于2024年开始量产，并已经与部分客户洽谈。

根据三星官方公布的声明显示，基于其第一代的3nm GAA工艺的芯片与传统的5nm工艺芯片相比，功耗降低了45%，性能提高了23%，面积可减少16%。

虽然三星已宣布其3nm GAA制程已经正式出货，但却并未公布客户名字。首批客户据传是中国大陆的矿机芯片厂商——上海磐矽半导体技术有限公司。不过，外界对于三星3nm制程的良率还是存有疑虑。

据外媒Appuals报道称，三星第二代的3nm制程将拥有更高效率和更低功耗，届时厂商态度可能改变。

近日，半导体产业分析师Sravan Kundojjala 在Twitter 上表示，三星第二代3nm将于2024 年量产，并为此已与多位移动芯片客户进行洽谈，意味着三星第二代3nm芯片可能已吸引手机芯片制造商的注意。

不过此前韩国媒体《BusinessKorea》报导称，三星在发布3nm制程之后，计划2023年开始生产量产第二代的3nm制程，并于接下来的2025年开始量产2nm制程，与Kundojjala给出的时间节点有较大差距。

《BusinessKorea》指出，三星想在技术实力上保持领先，尽快赶上台积电，因为台积电计划开始量产采用FinFET 技术的3nm芯片，并在2025年量产采用GAA技术的2nm芯片。

编辑：芯智讯-林子