10月4日消息，据日经新闻报道，光刻机供应商佳能近日宣布，将投资超过500亿日元在日本新建一座半导体设备工厂，目标将当前半导体设备产能提高一倍。

据介绍，佳能的这座半导体设备工厂将建在日本东部枥木县，总投资将超过 500 亿日元，约合人民币24.6亿元，主要将增加用于芯片制造所需的光刻机设备的生产，这是半导体制造的关键设备。计划在2023年动工，2025年春季开始运营。

资料显示，在2021年的全球光刻机市场，荷兰ASML独占了79.4%的市场份额，尼康与佳能分别占据10.4%和10.2%的市场份额。目前佳能在日本拥有两家半导体设备工厂，此次新建新的光刻机设备工厂则是佳能近21年来的首次。

此外，佳能还将考虑生产能够以低成本制造尖端精细电路的下一代系统。这里指的应该是佳能、铠侠、NDP目前正在努力合作研究的纳米压印技术（NIL）。

根据此前的资料显示，相较于目前已商用化的EUV光刻技术，NIL 技术可大幅减少耗能，并降低设备成本。原因在于NIL 技术较为简单，耗电量可压低至EUV 技术的10%，并让设备投资降低至仅有EUV 设备的40%。不过，虽然NIL 技术有许多的优点，但现阶段在导入量产上仍有不少问题有待解决，其中包括压印头的耐用性问题、易因空气中的细微尘埃的影响而形成瑕疵等问题。

编辑：芯智讯-林子