11月17日消息，为应对全球经济形式以及存储市场持续恶化的担忧，当地时间16日，美国存储芯片大厂美光科技发布新闻稿宣布，将 DRAM 和 NAND 晶圆产量减少约20%（与截至9月1日的2022 财年第四季度相比），此番减产将涉及美光再生产当中的所有技术节点。

此外，美光还表示，它还计划进一步削减资本支出，比此前9月份宣布的 2023 年资本支出削减30%还要更多一些。

美光表示，为了显著改善供应链中的总库存，在2023自然年度，预计其DRAM比特供应量将出现同比负增长，而NAND则有望维持个位数百分比的增长，但明显低于之前的预计。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“美光正在采取大胆而积极的措施来减少供应增长，以限制我们的库存规模。我们将继续监控行业状况，并根据需要做出进一步调整。尽管近期存在周期性挑战，但我们仍然对我们市场的长期需求驱动因素充满信心，从长远来看，预计内存和存储收入增长将超过半导体行业的其他部分。”

不过，美光在削减DRAM和NAND晶圆产能的同时，正计划在未来20年内斥资1000亿美元在美国纽约州兴建大型晶圆厂。在项目周期内，纽约州还将为工厂提供55亿美元的资金激励，支持工厂招聘和资本投资。此外，美光还希望获得美国“芯片法案”的补贴支持。

另外值得一提的是，面对存储市场需求的持续下滑，铠侠此前也发布声明称，旗下位于日本的两座位NAND闪存工厂从10月开始晶圆生产量将减少约30%，以应对市场变化。另一家存储芯片大厂SK海力士此前也宣布，2023年资本支出将大幅缩减70%-80%。

编辑：芯智讯-浪客剑