12月15日消息，据韩国媒体BusinessKorea报导，韩国本土的半导体和显示材料开发商——石墨烯实验室 (Graphene Lab) 开发出了基于石墨烯制造的EUV光罩保护膜 (Pellicle) ，有望显著提高ASML的极紫外光 (EUV) 系统生产芯片的良率。

据了解，光罩保护膜是一种薄膜，可保护光罩表面免受空气中微分子或污染物的影响，这对于 5nm或以下节点制程的先进制程技术的良率表现至关重要。另外，光罩保护膜也是一种需要定期更换的消耗品，而由于 EUV光刻设备的光源波长较短，因此护膜需要较薄厚度来增加透光率。之前，硅已被用于制造光罩护膜，但石墨烯会是一种更好的材料，因为石墨烯制造的光罩保护膜比硅更薄、更透明。

报导还强调，EUV 光罩护膜必须能够承受曝光过程中发生的 800 度或更高的高温，而基于石墨烯材料的光罩保护膜在高温下的硬化特性要好，相比之下硅制产品非常容易破裂。

Graphene Lab首席执行官Kwon Yong-deok 表示，“光罩护膜过去是由硅制成的，但我们使用了石墨烯，这对于使用 ASML 的 EUV光刻设备设备的半导体企业来说，石墨烯光罩保护膜将成为晶圆制造良率的推进助力。我们已经准备好进行量产。”

Graphene Lab 指出，一旦石墨烯 EUV 光罩护膜受到采用，估计全球光罩保护膜市场到 2024 年将达到1万亿韩元（约合人民币53.15亿元）的情况下，将有其极大商机。包括台积电、三星电子、英特尔等头部半导体制造企业都将会是 Graphene Lab 的潜在客户。

值得注意的是，今年早些时候，上游原材料供应商3M公司由于环保问题关闭了其位于比利时的工厂，使得相关原材料价格上涨，再加上光罩保护膜厂商之间的兼并导致相关产品生产放缓，以及市场需求增长，导致了光罩保护膜供应紧张、价格上涨。

编辑：芯智讯-浪客剑