3月15日，台湾汉磊集团董事长徐建华到访爱仕特进行交流。双方在以下方面达成重要合作，基于双方2022年已签署的LTA协议，汉磊将重点考虑满足爱仕特的代工产能需求；为1700V和3300V SiC MOS的量产准备；共同合作开发SiC MOS trench工艺技术；共同合作开发SiC MOS 8英寸工艺技术。

交流中，徐建华介绍了汉磊集团SiC MOS现有的代工产能和新技术研发状况，扩产的规划和详细进展，后续重点发展车规级芯片代工（长期为英飞凌车规级MOS提供代工服务）。

爱仕特方面，展示了公司自主研发并生产的全SiC MOS模块，全部采用汉磊代工生产的1200V 17毫欧SiC MOS芯片，也是国内率先上车使用的自主研发的SiC MOS芯片。

资料显示，汉磊科技成立于1985年，是全球第一家Linear Bipolar IC专业代工厂，具备化合物半导体氮化镓 (GaN) 及碳化硅 (SiC)专业代工能力，拥有1座 4/5英寸晶圆厂、2座 6英寸晶圆厂。其中，4英寸月产能为1000 pcs、5英寸月产能为8000 pcs，6英寸月产能分别为17000 pcs和33000 pcs。

爱仕特主要从事第三代半导体碳化硅大功率电力电子芯片与模块，以及相关系统方案的开发。产品涵盖电压650V-3300V、电流5A-150A的SiC MOS芯片，高功率低耗损的SiC MOS模块，以及基于SiC MOS模块的整机应用系统方案，各项性能指标达到国际水平，提供各类规格参数的SiC MOS定制化服务。

目前，爱仕特采用6英寸技术已量产20余款 650V-3300V 全系列 SiC MOSFET 产品，并建立起车规级的 SiC MOS 模块工厂。

据悉，爱仕特团队与台湾汉磊有着长达十余年的合作历史，双方团队深入合作，共同研发，配合默契，创造出多项行业领先奇迹：  2020年爱仕特SiC MOS六英寸工艺量产；  2021年爱仕特SiC MOS 1200V 17毫欧芯片量产，1200V 80毫欧芯片良率高达95%；  2022年爱仕特SiC MOS通过AEC-Q101认证。

编辑：芯智讯-林子