5月5日消息，据韩国经济日报报导，近日，三星半导体业务主管庆桂显（Kyung Kye-hyun）接受采访时表示，三星的晶圆代工技术仅落后台积电1~2年，但未来的2nm节点竞争中会发生变化，等到台积电量产2nm，三星将处于领先。未来5年内三星将可以超越台积电。

庆桂显进一步解释称，在4nm节点，三星落后台积电2年时间，3nm节点大约落后1年，但是三星的2nm工艺得到了客户的认可，客户对三星的GAA晶体管技术很满意，几乎所有大公司都在与三星合作。

除了制造工艺之外，三星也在努力提高封装技术，庆桂显表示随着半导体工艺微缩变得越来越困难，封装技术可以提高芯片性能。

三星此前制定了2030半导体计划，希望通过171万亿韩元的投资在2030年成为全球最大的半导体公司，包括内存、闪存及逻辑芯片在内。

不过，台经院产经资料库研究员暨总监刘佩真表示，三星（Samsung）去年6月就宣布3奈米制程导入环绕闸极（GAA）架构，因良率提升速度较预期缓慢，三星3奈米争取到的客户订单极为有限。

刘佩真说，透过降价抢单策略，传出三星分食到超微或Google部分4奈米订单，不过这些大客户仍主要由台积电代工生产，因为台积电先进制程良率稳定度及整体表现都优于三星。

她进一步分析，台积电囊括全球晶圆代工市场高达58.5%的市占率，远高于三星的15.8%，三星想弯道超车台积电，仍有一大段距离。

编辑：芯智讯-林子