虽然美国存储芯片大厂美光在2022年下半年宣称全球首家量产了232层NAND Flash，但事实上，长江存储在美光之前就已经小批量量产了。随后在去年11月7日，三星电子也宣布量产了236层3D NAND闪存芯片。今年6月8日，SK海力士也宣布其在2022年8月开发完成的238层堆叠的NAND Flash芯片正式开始量产。至此，头部的三大存储厂商的NAND Flash均已经进入了232层或236层。

没想到的是，仅时隔2个月之后，SK海力士竟然又推出了321层堆叠4D NAND Flash闪存样品。

SK海力士于8月8日宣布，借助其最新发布的321层堆叠4D NAND Flash闪存样品，使其正式成为业界第一家完成300层以上堆叠NAND Flash闪存开发的公司。

SK海力士表示，321层堆叠的1Tb TLC 4D NAND Flash的生产效率，相比上一代238层堆叠的512Gb 4D NAND Flash提高了59%。而生产效率提升的原因在于，数据储存单元可以用更多的单片数量堆叠到更高，这使得在相同大小面积的芯片上达到更大储存容量，也进一步增加了单位晶圆上芯片的产出数量。

不过，目前SK海力士的这款321层堆叠4D NAND Flash还需要进一步优化，计划到2025年上半年才开始量产供货。

SK海力士还发布了针对这些需求进一步优化的下一代NAND Flash闪存产品解决方案，包括采用PCIe 5（Gen5）界面的企业级固态硬盘（Enterprise SSD，eSSD）以及UFS 4.0规格产品。

SK海力士进一步指出，目前公司在积累产品技术和不断优化企业内部解决方案的基础上，正在积极开发下一代PCI 6.0和UFS 5.0规格产品，以致力于在未来继续领导相关內存产品市场。

编辑：芯智讯-浪客剑