未来数年HBM市场年复合增长率达50%,美光HBM3 Gen 2 明年一季度量产出货

美光将于2025年量产1-gamma制程DRAM-芯智讯

9月5日消息,全球第三大DRAM厂美光昨日在中国台湾召开发布会,表示在人工智能(AI)热潮之下,看好2022年至2025年高带宽内存(HBM)市场年复合成长率超50%,美光也在积极布局,旗下1β制程的HBM3 Gen2正在验证中,预计明年首季量产出货。

美光副总裁暨先进封装主管Akshay Singh表示,他在2019年到中国台湾成立HBM部门时,美光就早已看到了AI应用商机,随着ChatGPT问世,AI开始渗透到所有使用者周边,变得更广为人知。而AI和HBM息息相关,因为AI基础建设需要性能更好、容量更大的内存.加上AI对于逻辑和存储芯片要求很高,现在主要瓶颈在内存带宽,这也是HBM的一大用武之地,未来HBM需求将持续大幅增长。

Akshay Singh引用市场研究机构的数据显示,预期2022年至2025年,HBM市场年符合增长率将达50%以上,而且AI需求中的HBM容量是一般市场需求的五倍以上,预计未来几年,美光在HBM位元出货量将有望占整体市场10%的份额。

谈到美光在HBM领域的技术蓝图,Akshay Singh透露,即将推出的HBM3 Gen 2会采用1β制程,目前已在送样阶段,预计明年一季度将开始放量出货,并采用先进封装制程堆迭八层晶粒,让一颗内存芯片容量可达24Gb,但面积大小仍与一般内存芯片几乎相同。

针对中国台湾市场,中国台湾美光公司董事长卢东晖补充说,中国台湾有完整的芯片制造生态,目前是美光在全球唯一发展先进封装的据点,并与中国台湾芯片制造生态结合,提供客户完整的解决方案,满足市场需求。

卢东晖强调,美光的自身重点会在HBM,但在整体解决方案系统中,要有HBM和逻辑芯片等整合,因此,美光会和生态系紧密合作,与逻辑芯制造厂一起合作推出解决方案。

业界看好,AI需求大爆发,不仅存储芯片原厂积极布局、推出新品抢市,晶圆代工龙头台积电、封测龙头日月光也将随之受惠,先进封装市场有望进一步扩大。

业界分析,台积电正加快脚步扩充CoWoS先进封装产能,未来几年内产量将呈现跳跃式成长。日月光投控方面,旗下日月光半导体正持续强化覆晶多晶片模组FCMCM、2.5D ?& 3D IC和扇出型基板上晶片封装(FOCoS)等技术,旗下硅品也早已卡位2.5D / 3D封装及扇出型多晶片模组FO-MCM。

编辑:芯智讯-林子

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