10月19日消息，据外媒Tomshardware报道，韩国存储芯片大厂三星公布了V-NAND（即3D NAND）发展计划，证实将在2024年生产超过300层的第九代V-NAND芯片。

三星总裁暨內存事业部负责人Jung-bae Lee在一篇博客文章中写道，“第九代V-NAND基于双堆栈结构，层数将达到业界最高水准，将于明年初量产。

三星在2022年底就已经开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层，相比于2020年首次引入双堆栈架构的第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。其所采用的双堆栈架构，即在300mm晶圆上先生产一个3D NAND Flash堆栈，然后在原有基础上再构建另一个堆栈。

三星的超300层堆叠的第9代V-NAND将会沿用上一代的双deck架构，也就是说，三星的超300层3D NAND Flash将通过将两个150 层堆叠的deck堆叠在一起制成。尽管制造时间更长，但堆叠两个 150 层组件比构建单个 300 层产品更容易制造。

对于3D NAND来说，随着堆叠层数的增加，将可持续提升存储容量和密度。Jung-Bae Lee表示，“三星还在致力于下一代技术创造价值，包括最大限度提高 V-NAND 输入/输出 (I/O) 速度的新结构。”

就长期技术创新而言，三星致力于最大限度地减少单元干扰、降低高度并最大化垂直层数，这将使其能够实现业界最小的单元尺寸。这些创新将有助于推动三星创建超过 1000 层的 3D NAND。消息显示，未来的第10代V-NAND技术将可能达到 430层芯片。

值得一提的是，今年8月初，SK海力士就公布了其最新的321层堆叠4D NAND Flash闪存样品，并表示其将成为业界第一家完成300层以上堆叠NAND Flash闪存开发的公司。

据介绍，SK海力士321层堆叠的1Tb TLC 4D NAND Flash，相比上一代238层堆叠的512Gb 4D NAND Flash的单位容量提升了41%，延迟降低了13%，性能提升了12%，功耗降低了10%，并且生产效率也提升了59%。而其生产效率之所以能够大幅提升59%的原因在于，数据储存单元可以用更多的单片数量堆叠到更高，这使得在相同大小面积的芯片上达到更大储存容量，也进一步增加了单位晶圆上芯片的产出数量。

编辑：芯智讯-浪客剑