现在半导体工艺技术已经开始遭遇瓶颈，摩尔定律似乎也正走向终结，目前关于10nm工艺节点的争夺也是也来越激烈。Intel、台积电、三星都是牟足了劲，都希望能够抢先量产10nm制程工艺，抢先竞争对手一步推向市场，占据竞争优势。

今天三星在首尔正式宣布，三星已经开始10nm FinFET工艺SoC芯片的量产工作，进度业界第一，领先台积电和Intel。

据了解，目前三星的10nm工艺是10nm LPE（low-power early），也就是早期低功耗版，这一点和三星14nm时代的进程一致，后续还会有10nm LPP（low power plus, advanced power processing），预计明年下半年量产，可用于更高性能的芯片。

按照三星给出的参考值，相较14nm，10nm晶体管面积效率提升30%，性能提升27%，功耗降低40%。韩国巨头还表示，为了克服比例限制，边缘技术依然沿用了之前的三重切削，以保证节点双向链路的灵活性。

三星称，明年初会正式发布首款消费级的10nm FinFET芯片，毫无疑问，Exynos 8895和骁龙830系列芯片将会率先采用三星的10nm工艺。