10月31日消息，据DigiTimes援引韩国媒体The Elec的报道称，三星表示，其即将推出的 SF1.4（1.4 nm级）工艺技术将把纳米片的数量从 3 个增加到 4 个。此举有望为性能和功耗带来显着的好处。

三星是第一家在 2022 年中期推出依赖于环栅 (GAA) 纳米片晶体管的工艺技术的公司，其 SF3E（也称为3nm-class gate-all-around ear, 3GAE）。该公司使用该技术制造各种芯片，但据信该节点的使用仅限于微型芯片，例如用于加密货币挖掘的芯片。明年，三星计划推出 SF3 技术，该技术有望被更广泛的应用领域所采用。三星计划在 2025 年推出其性能增强型 SF3P 技术，该技术专为数据中心 CPU 和 GPU 设计。

同样在 2025 年，三星预计将推出 SF2（2nm 级）制造工艺，该工艺不仅依赖 GAA 晶体管，还将采用背面功率传输，这在晶体管密度和功率传输方面带来了巨大的好处，也许在推出基于 GAA 的 SF3E 后三星生产节点的最大改革将发生在 2027 年，届时三星的 SF1.4 技术将通过将纳米片数量从 3 个增加到 4 个来获得额外的纳米片。

增加每个晶体管的纳米片数量可以增强驱动电流，从而提高性能。更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关能力和运行速度。此外，更多的纳米片可以更好地控制电流，这有助于减少漏电流，从而降低功耗。此外，改进的电流控制还意味着晶体管产生的热量更少，从而提高了功率效率。

英特尔和台积电都打算分别于 2024 年和 2025 年开始使用 GAA 晶体管及其 20A 和 N2（2 纳米级）工艺技术。当这些公司推出基于纳米片的节点时，三星将在环栅晶体管方面拥有丰富的经验，这可能对代工厂有利。

编辑：芯智讯-林子