随着当年OPPO一句“充电5分钟，通话两小时”的广告语，快速充电算是真正在普通用户心里扎了根。目前，多数手机厂商都在使用来自高通QC高速充电技术，而随着下一代骁龙处理器的即将到来，QC技术也将完成新的突破。

根据之前传言，QC4.0的最高功率将调整至28W，输出规格为5V/4.7A~5.6A和9V/3A，步进电压调整为10mV。而现在QC3.0方案的规格为5V2.5A、9V2A、12V1.5A，步进电压为20mV，最大输出功率18W。可以看到，新方案完全舍弃了12V的输出，并且将步进电压精细化到10mV，这对充电损耗以及散热都有一定的优化作用。

近日据外媒报道，下一代骁龙830处理器将整合全新QC 4.0快速充电，最大特点是支持高达28W的高功率充电，同时具备“智能最佳电压技术”（INOV），能够在每一个电量阶段平衡到最佳充电电压，从而在保证电池安全的情况下更快速的完成整个充电过程。

高通表示QC3.0其能够在30分钟内为一块2750mAh的电池补充约70%的电量，而即将到来的QC 4.0相信充电速度将更快（可能将提升50%以上），并且更稳定。