当地时间3月20日，美国存储芯片大厂美光（Micron）公布了截至2024年2月29日的2024财年第二季财报。

得益于存储芯片市场的回暖，以及AI对于HBM（高带宽内存）、DDR5需求暴涨，美光在该季营收、毛利率、净利均大超预期，并成功结束连续五个季度的亏损，扭亏为盈，再加上对于第三财季营收继续保持强劲增长的预期，推动美光股价在3月20日美股盘后股价大涨18%。3月21日美股开盘后，美光股价一度大涨超过17%，截止收盘，股价仍保持了14.13%的涨幅，收于109.85美元/股。

营收大涨58%至58亿美元，并成功扭亏为盈

具体来说，美光第二财季受益于DRAM和NAND Flash需求及价格同步上升，该季营收同比大涨58%（环比增长23%）至58亿美元，优于市场预期的51亿至55亿美元；毛利率为20%，也优于市场预期11.5%~14.5%；GAAP(依照公认会计准则)净利润为7.93亿美元，摊薄后每股收益为0.71美元；Non-GAAP净利润为4.76亿美元，摊薄后每股收益0.42美元。美光在该财季成功扭亏为盈，比预期的提前了一个季度。

美光科技总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 表示：“美光科技第二财季的业绩，收入、毛利率和每股收益均远高于我们指导范围的高端，这证明了我们团队在定价、产品和运营方面的出色执行力。”

DRAM及NAND价格大涨

从具体产品划分收入构成来看，美光第二财季DRAM收入环比增长21%至42亿美元，占总收入的71%。这主要得益于该季DRAM平均价格上涨了10%，出货量也有个位数百分比的增长；第二财季NAND收入环比增长了27%至16亿美元，占美光总收入的27%。同样，这也得益于NAND Flash的平均价格涨幅超过了30%，不过出货量却出现了低个位数百分比的下降。

显然，美光第二财季的业绩增长，主要是受益于DRAM和NAND Flash的涨价，也有部分受益于之前的存货计提减值（之前跌价减值后，现在涨了就是纯赚的了）。财报也显示，产品涨价带动了美光的整体毛利率提升了19个百分点。

数据中心业务增势最为迅猛

按照各应用领域收入来看，计算和网络业务收入为22亿美元，环比增长26%。其中，数据中心业务环比增长超过一倍；移动业务的收入为16亿美元，环比增长24%；嵌入式业务收入为11亿美元，环比增长7%；存储业务收入为9.05亿美元，环比增长39%。

可以看到，各应用领域当中，来自数据中心领域的营收增长是最为迅猛的。而这主要得益于人工智能服务器的需求正在推动HBM、DDR5和数据中心SSD的快速增长。这也正在导致了先进的DRAM和NAND的供应处于供不应求当中，这对所有存储器和存储终端市场的定价产生了积极的连锁反应。

美光预计，在数据中心，受人工智能服务器强劲增长和传统服务器恢复适度增长的推动，2024年行业服务器总出货量将增长中高个位数。这也将成为推动美光数据中心业务的继续增长。

HBM供不应求：2024年已销售一空，2025年的绝大多数供应已经分配完毕

随着AI芯片需求持续大涨，作为AI芯片当中的极为关键的器件，HBM（高带宽内存）也是持续供不应求。

在年12月底财报会议上上，美光CEO Sanjay Mehrotra对外透露，得益于生成式AI的火爆，推动了云端高性能AI芯片对于高带宽内存（HBM）的旺盛需求，美光2024年的HBM产能预计已全部售罄。其中，2024年初量产的HBM3E有望于2024会计年度创造数亿美元的营收。随后，在今年2月下旬，SK海力士副总裁Kim Ki-tae也表示，SK海力士2024年的HBM产能也已经全部售罄。足见HBM的紧缺状况！

这一方面是由于市场对于AI芯片需求量越来越大，另一方面则是由于AI芯片对于HBM规格及容量的要求越来越高。比如,AMD此前推出的MI300X，其配备了192GB的HBM3内存，而上代的MI200仅有64GB HBM2E内存。英伟达最新发布的新一代的AI芯片B200，其配备了高达192GB HBM3e内存，相比上代H200所搭配的141GB HBM也有大幅提升。

此外，同技术节点下，相同容量的HBM对于晶圆的消耗也远高于DDR5。美光在财报中指出，在整个行业范围内，HBM3E在同一技术节点中生产给定数量的位所消耗的晶圆供应量大约是DDR5的三倍。随着整个行业性能和包装复杂性的提高，美光预计下一代HBM4的所消耗的晶圆比例甚至将高于HBM3E。

另外，HBM的生产也依赖于先进封装工艺，这也是目前产能的一个瓶颈。还有就是目前HBM的良率要低于DDR5。这些都造成了HBM的持续供不应求。

美光在最新财报中强调：“我们的HBM在2024年销售一空，2025年的绝大多数供应已经分配完毕。我们继续预计HBM比特份额将在2025年的某个时候与我们的整体DRAM比特份额相等。”

不过需要指出的是，2024财年，美光的业绩增长动力主要还是来自于DRAM和NAND Flash的价格上涨及需求的增长。而HBM所能够为美光带来的营收贡献仍比较有限。“我们有望在2024财年从HBM获得数亿美元的收入，并预计从第三财季开始，HBM的收入将对我们的DRAM和总毛利率产生增值作用。”美光在财报中写道。

最新技术进展：12层HBM3E将在2025年大规模量产

美光表示，其目前超过3/4的DRAM位位于前沿的1-α和1-β节点上，超过90%的NAND位于176层和232层节点上。

在EUV和非EUV流之间的1-α和1-β节点上实现了等效的产量和质量。开始使用EUV进行1-α DRAM的试生产，并有望在2025财年实现批量生产。

目前，美光正在对其第二代1-β塔LPDRAM LP5x产品进行采样，该产品为旗舰智能手机提供了业界最高的性能和更高的功率。

在NAND方面，美光已经推出了第二代232层NAND UFS4.0设备。美光的下一代NAND节点的开发正在进行中，计划在2025年进行批量生产。

美光还表示，其已经在第二财季确认了HBM3E获得的第一笔收入，现在已经开始大量发货HBM3E产品。与竞争对手的解决方案相比，其HBM3E解决方案的功耗降低了30%。目前供货的HBM3E产品将成为英伟达H200 Tensor Core GPU的一部分，同时美光还正在与多个客户进行额外的平台资格认证。

另外，在今年3月早些时候，美光已经对其12个层的HBM3E产品进行了采样，该产品将每个立方体的DRAM容量提高了50%，达到36 GB。美光预计，12层HBM3E将在2025年开始大量生产。

第三财季营收有望升至68亿美元

美光预计，其第三财季营收将有望进一步增长至64亿至68亿美元，毛利率也提升到25%~28%，EPS为 0.38~0.52美元。

这一业绩指引也超出了市场的预期。

2024年DRAM和NAND供应量将低于需求

美光表示，2023日历年DRAM位元需求增长处于低两位数的百分比范围内，NAND位元需求增长位于20%以下的百分比范围内，均比之前的预期高出几个百分点。

基于去年的数据预计目前的市场供求情况，美光预测，2024年日历年，市场对于DRAM的位元需求复合年增长率为百分之十几左右，对于NAND的位元需求增长率为20%以下。

在供应方面，美光预计2024日历年行业DRAM和NAND的供应量将低于需求。其中，美光在2024财年的位元供应增长仍低于市场对其DRAM和NAND Flash的需求增长，预计在2024财年库存天数将进一步减少。

虽然美光表示，其现在充分利用大批量制造节点，并在结构降低的产能的情况下最大限度地提高产量。但是，美光预计在2024财年结束时，其DRAM和NAND Flash的晶圆容量将比2022财年的峰值水平低两位数百分比。

从应用领域来看，美光预计，数据中心的内存和存储库存显著改善，2024年上半年会正常化；在个人电脑方面，预计2024日历年的单位产量将适度增长，在低个位数范围内。下一代人工智能个人电脑将在2025财年增长，并成为个人电脑总销量的重要组成部分；智能手机方面，2024日历年的销量仍将保持低至中个位数的增长势头。与今天的非人工智能旗舰手机相比，人工智能手机的DRAM内容将增加50%至100%；汽车方面，采用L2+ADAS功能的势头持续增强，进一步扩大了每辆车的存储容量需求。

基于此，美光预计DRAM和NAND Flash的定价水平将在2024日历年进一步提高，并预计其在2025财年的收入将创纪录，盈利能力将大幅提高。

“我们正处于人工智能驱动的多年增长阶段的早期阶段，因为这项颠覆性技术将改变商业和社会的方方面面。我们相信美光是半导体行业人工智能带来的多年机遇的最大受益者之一。我们卓越的产品组合使我们能够在 2024财年下半年实现强劲的财报。”Sanjay Mehrotra说道。

编辑：芯智讯-浪客剑