ASML携手Imec建联合实验室,供客户测试最新High NA EUV光刻机

 ASML High NA EUV创下新纪录:晶圆制造速度提升150%,可打印8nm线宽

6月3日,全球光刻机龙头大厂ASML宣布,已与比利时微电子研究中心(Imec)合作,在荷兰Veldhoven建立了专为High NA EUV光刻机的测试实验室。

据介绍,这座联合实验室斥资3.5亿欧元,经过多年建设,旨在为领先的芯片制造商和其他设备与材料供应公司提供早期使用High NA EUV光刻机的机会。ASML在全球光刻机市场占主导地位,目前只有台积电、三星、英特尔及SK海力士能使用ASML当前一代的EUV光刻机进行生产。

新的High NA EUV光刻机可将分辨率提高60%至8nm线宽,有望带来更小、更快的新一代芯片。ASML预计,客户将在2025至2026年开始使用这款设备,进行商业制造。迄今为止,ASML只向英特尔交货一台测试设备,后者计划2025年将该工具用于14A制程。

尽管ASML最大EUV设备客户台积电预期,A16芯片不需要使用High NA EUV光刻机,但ASML已接到十几个订单,显示市场对这一顶尖技术的强劲需求。

编辑:芯智讯-林子

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