除了全新10nm的工艺，骁龙835还有这些杀手锏

2016年12月04日

11月中旬，高通官方正式宣布，将使用三星的10nm FinFET打造自家的新一代旗舰处理器骁龙835。作为骁龙820/821的继任者，它既让我们对明年旗舰机的性能有新的期待，也不禁想问，除了新的10nm制程，以及继续跑个高分，还能有什么更让人兴奋的新卖点吗？

先进的制程比核心数更重要

去年骁龙820的发布时间也是在11月，跟骁龙835相隔刚好差不多一年，不过骁龙835的处境可比去年的820好多了，后者肩负着为高通“退烧”的重任。因此，高通在公布骁龙820时就将其架构、主频、GPU等各项详细参数都一股脑地倒了出来，而此次对于骁龙835其并没有透露过多的信息。主要就告诉我们一件事——它将使用三星10nm制程工艺制造。

有意思的是，刚好就在高通公布该消息的一个月前，三星宣布其10nm制程芯片工艺实现量产，前后脚的发布消息，这两家公司就像商量好似的。受此打击最大的大概就是另一家芯片代工厂台积电了，不仅再次把“首家实现量产10nm制程工艺芯片厂家”的头衔拱手让给三星，更失掉了传闻中高通骁龙835的大单子。

台积电在半导体制造工艺方面与三星一直都相互竞争，在14/16nm FinFET工艺量产进度被三星击败后，台积电卯足劲希望在10nm甚至7nm工艺上要领先三星。可惜正如此前的16nm FinFET工艺一样，在正式量产前不断放消息，结果实际时间却延迟了近半年。如今曾信心满满要赶在三星前面的台积电不仅又落后了，更未确定年底能否量产10nm，但愿不要太迟才好。

因为这不仅关系到台积电自己，其他厂商也因此受到影响。华为海思规划了两款高端芯片麒麟960、麒麟970，前者采用台积电成熟的16nm FinFET工艺，而后者则计划采用台积电的10nm工艺，如果无法如期量产，恐怕华为明年的旗舰新机也会有变数。

一直希望通过采用领先的工艺而在高端芯片市场有所作为的联发科，如今大概也正在为台积电的10nm工艺量产时间头疼。由于联发科所有芯片都不支持中国移动要求的LTE Cat7而开始被国产手机厂商弃用，它急需推出采用10nm工艺的Helio X30，该芯片支持LTE Cat10技术，这也造成了联发科如今青黄不接的囧况。

不难看出，高通和三星共同宣布采用10nm工艺制造骁龙835这一消息，无异于联手告诉各自的竞争对手：“来追我呀”，宣示领先地位。或许正因如此，这次骁龙835也有了跳数字的命名方式（此前传闻型号应为骁龙830）。

搭载千兆级LTE芯片骁龙X16

今年2月份的时候，高通就正式公布了其最新一代的LTE基带芯片骁龙X16 ，这是全球首款移动平台商用千兆级LTE基带芯片。而在日前的媒体会上，高通也宣布即将推出的下一代骁龙800系列处理器就将会集成骁龙X16 LTE基带芯片。

骁龙X16 LTE调制解调器基于先进的14nm工艺，作为移动行业首款商用千兆级LTE芯片，骁龙X16通过支持跨FDD和TDD频谱最高达4×20 MHz的下行链路载波聚合（CA）和256-QAM，可以带来“像光纤一样”（fiber-like）的最高达1Gbps的LTE Category 16下载速度；同时通过支持最高达2x20 MHz的上行链路载波聚合以及64-QAM，可以带来高达150 Mbps的上行速度。骁龙X16 LTE调制解调器可利用与Cat.9 LTE终端相同数量的频谱实现千兆级LTE速率。

骁龙X16 LTE调制解调器还搭配了全新的WTR5975射频收发器，这是全球首个单芯片射频集成电路（RF IC），能够支持千兆级LTE、LTE-U以及5 GHz非授权频段LAA。此外骁龙X16还搭配了高通RF360 QET4100包络追踪器，通过全球首个发布的LTE FDD和LTE TDD 40MHz包络跟踪解决方案大幅改善了LTE功耗。

全新调制解调器和收发器不仅包含先进的连接特性组合，还支持骁龙全网通，包括全部主要蜂窝技术（LTE FDD、LTE TDD、WCDMA、TD-SCDMA、EV-DO、CDMA 1x和GSM/EDGE）、频段、载波聚合频段组合、LTE双卡、LTE广播且支持高清和超高清LTE语音（VoLTE）利用SRVCC（单一无线语音呼叫连续性）到3G和2G语音的切换

高通表示，得益于骁龙X16 LTE调制解调器千兆级的LTE速度，用户将能够享受到其突破性功能带来的优势，如360度虚拟现实内容的实时传送、全新的影音娱乐体验（快速缓存超高保真音乐和电影）、即时APP应用（无需下载安装即可享用）、更快更无缝的云端应用与服务的访问。同时也将使得云存储或将拥有媲美本地闪存的读取速度。

这次快充不怕谷歌的白眼了

和骁龙835一起到来的还有Quick Chrage 4快速充电技术，实际上，就在公布前不久，高通的Quick Chrage快充技术正经受着考验。谷歌在最新的Android兼容性定义文档中强烈建议OEM厂商不要在Type-C设备上使用具有收费专利的充电技术，而应该使用标准的USB PD供电协议，将矛头直指高通Quick Charge为代表的一众第三方快充技术。

根据USB Type-C 3.1接口的规范，充电电压应保持在4.45－5.25伏之间，而高通QC 3.1所需要的电压便远超USB Type-C线的标准，由于这项技术是基于非标准信号及非标准USB连接，的确导致了各种兼容性问题。而且因为各手机内部配置不同、充电速率不同，如果用户混用设备，可能会造成安全隐患。USB-PD充电协议便旨在推广标准3A Type-C型充电器，实现兼容又相对可靠的快充。

现在Quick Charge 4的到来显示高通已经做好了接招的准备：集成对USB Type-C和USB-PD的支持。这可能意味着，未来搭载Quick Charge 4的不同手机之间，混用充电器同样可以实现快充了。

当然还有更快的充电速度，高通表示Quick Charge 4充电速度提升高达20%，仅五分钟的充电，手机使用时间延长五小时甚至更久。在大约15分钟或更短时间内，可充入高达 50%的电池电量。

△15分钟充电50%，Quick Charge 4的充电效率提升达30%

Quick Charge 4的升级也包括对发热的控制，采用高通第三版INOV电源管理算法（最佳电压智能协商），据说加入了行业首创的实时散热管理技术，让你的手机在充电时温度更低，较上一代最多可以降低5摄氏度。毕竟因为三星Note7事件，大家越来越重视充电过热的问题。

这主要是基于配置骁龙835的手机拥有电流电压的三重防护，以及防止过热的四重防护，而骁龙835也能管理电池使用寿命，让用户使用更长时间。也就是说，骁龙835将首先搭载Quick Charge 4。

满足你对手机性能的期待

虽然目前高通还没有透露关于骁龙835的具体信息，不过目前曝出的一些信息：升级版64位自主架构Kyro 200，四大、四小的八核设计，GPU核心升级为Adreno 540，LTE X16基带以及更快的LPDDR4x运存等，基本是可靠的。这自然意味着明年我们手上的旗舰机性能将比现在有新的突破，跑分创新高，不过你也别想得就这么简单，如今SoC很大程度还影响着手机产品的设计走向以及用户体验。

按照高通的说法，骁龙835将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。要知道苹果iPhone7／7Plus去掉耳机孔的最大原因就是让出机身内部空间，以加入相机模组、Taptic Engine和一部分电池容量。

那么我们可以预见，明年旗舰机的机身厚度进一步降低的基础上，不仅有更高性能，还有更大容量的电池以及更长续航时间。随着双摄手机的普及，预计骁龙835会对双摄有更好的ISP支持方案，新一代的Hexagon DSP也会带来更好的待机表现。

伴随着VR概念的火热，高通也提出了会为这些运算做出单独优化，用以达到更好的效果。VR对手机图形处理能力的要求比以往高得多，骁龙835上的新一代Adreno GPU无疑会更加强悍。另外，今年的热点是人工智能，骁龙820就已内置Zeroth神经处理引擎，能够自动根据用户拍摄的照片进行分类，相信骁龙835会更进一步，带来更加实用的机器学习功能，以后你的手机大概会更懂你。

△推测将首发搭载骁龙835的三星S8具有人工智能和深度学习能力