据国产半导体封测大厂通富微电官方微信消息，其旗下通富通达先进封测基地项目开工仪式于2024年9月20日在南通市北高新区举行。同日，通富通科（南通）微电子有限公司Memory二期项目首台设备入驻仪式也正式在通富通科举行。

通富微电董事长、总裁石磊在致辞中谈到，通富通达先进封测基地项目建成后将主要涉足通讯、存储器、算力等应用领域，重点聚焦于多层堆叠、倒装、圆片级、面板级封装等国家重点鼓励和支持的集成电路封装产品。通富微电自成立近30年来，始终深植产业报国信仰，勇当封测领域前沿科技攻关引领者，紧紧围绕集成电路先进封测领域面临的瓶颈制约发力，为确保产业链、供应链自主、安全、可控提供了有效支撑。

资料显示，通富通达先进封测基地项目总投资75亿元，占地面积217亩，项目计划于2029年4月全面投产，全面达产后预计年新增应税销售60亿元、税收超亿元。

据悉，通富先进封装测试生产基地项目是2024年省级重大项目，包括通富通达和通富通科两个子项目。而在同一天，通富通科（南通）微电子有限公司Memory二期项目首台设备入驻仪式也正式举行。

通富微电董事长、总裁石磊表示，通富通科Memory二期项目的顺利推进，既得益于一期项目的成功运行，也凝聚着各方的努力与付出。首台设备的入驻，标志着通富微电在市北高新区的存储器封测基地建设取得了阶段性成果，将在技术层面形成存储器封测领先水平，在产能层面满足日益增长的市场需求，为我国集成电路产业发展注入强劲动力。

据通富通科（南通）微电子有限公司总经理吉红斌介绍，Memory二期项目新增净化车间面积8000平方米，投产后整体每月可提供15万片晶圆。同时，新增1.6亿元设备投资，主要是嵌入式FCCSP、uPOP等高端产品量产所需的关键设备，能够更好地满足手机、固态硬盘、服务器等领域对存储器高端产品的国产化需求。

截止目前，通富通科项目累计投资约30亿元，累计产值达10亿元。

南通新闻报道则指出，通富通达先进封测基地项目正式开工，通富通科Memory二期项目首台设备正式入驻，标志着百亿级重大项目通富先进封测基地的两个子项目同日取得新突破。

编辑：芯智讯-林子