11月26日，英特尔公司和美国商务部共同宣布，双方已就《芯片与科学法案》补贴条款达成一致，美国商务部将依据“芯片法案”向英特尔的商业半导体制造项目提供高达78.6亿美元的直接补贴资金。

该补贴资金将支持英特尔在亚利桑那州建设两座新的尖端逻辑晶圆厂，升级新墨西哥州的两座先进封装设施，在建设两座领先的逻辑晶圆厂，以及在俄勒冈州投资美国领先的前沿技术开发中心。

自两年多前《芯片与科学法案》通过以来，英特尔就已宣布计划在美国投资超过 1000 亿美元，以扩大对经济和国家安全至关重要的芯片制造和先进封装能力。这些历史性投资将支持数万个就业岗位，加强美国供应链，促进美国研发，并有助于确保美国在尖端半导体制造和技术能力方面的领先地位。

英特尔还计划申请美国财政部的投资税收抵免，预计该抵免额将达到 1000 多亿美元合格投资的 25%。

此次双方达成的正式协议是在此前签署的初步条款备忘录和商务部完成尽职调查，以及宣布的投资税收抵免之后做出的。最终直接补贴金额低于之前公布的初步协议补贴的85亿美元，是因为美国国会要求使用“芯片法案资金”来支付 30 亿美元的 Secure Enclave 计划。

根据资料显示，2024 年 9 月，英特尔赢得了价值高达 30 亿美元的Secure Enclave 计划制造合同。该计划旨在为美国政府扩大尖端半导体的可信制造，并通过快速保证微电子原型 - 商用 (RAMP-C) 和最先进的异构集成封装 (SHIP) 计划巩固了英特尔与美国国防部的关系。

英特尔首席执行官帕特·基辛格表示：“Intel 3 已经投入大批量生产，Intel 18A 也将于明年投入生产，尖端半导体将再次在美国本土生产。两党对恢复美国技术和制造业领导地位的大力支持正在推动历史性投资，这对该国的长期经济增长和国家安全至关重要。英特尔坚定地致力于推进这些共同优先事项，我们将在未来几年进一步扩大美国业务。”

值得一提的是，英特尔在先进半导体制造方面已实现了一项重要里程碑——完成了业界首台商用高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻机的安装，并在俄勒冈州希尔斯伯勒的研发基地完成了另一台高数值孔径光刻机的安装。这将使英特尔能够推动下一代芯片制造尖端技术。

美国商务部长吉娜·雷蒙多表示：“芯片法案计划将增强美国的技术和创新，使我们的国家更加安全——英特尔有望在美国半导体产业的振兴中发挥重要作用。”“感谢拜登总统和哈里斯副总统的领导，我们的芯片法案补贴正在催化英特尔在美国历史上对半导体制造业进行最大的投资之一。”

编辑：芯智讯-浪客剑