12月10日消息，据韩国媒体thelec报道，SK海力士在年终开始对高阶主管团队进行重组，包括将高阶主管人数提升一倍，从19位增加到了33位。

报道称，在这33名员工高阶主管当中，有70%将从事新芯片与技术的开发工作。其中，执行副总裁Ahn Hyun晋升为总裁，并担任首席开发官（chief development officer，简称CDO）的新职位。另一个新职位是首席生产官（chief production officer），将监督芯片生产的前段和后段。

Ahn Hyun之前是SK海力士NAND Flash解决方案委员会（N-S Committee）负责人，为了提升SK海力士NAND Flash能力而成立。现在Ahn Hyun出任首席开发官主要领导SK海力士开发新一代行动端NAND Flash解决方案、PEB110 E1.S服务器SSD、PCB01 AI PC SSD及其他高阶NAND Flash产品。

SK海力士指出，Ahn Hyun在未来技术和解决方案开发，以及制定业务策略都担任关键职位。

凭借着HBM的成功，SK海力士在整个DRAM市场上已与三星势均力敌，而在NAND Flash市场则仍与三星仍有一定差距。SK海力士表示，首席开发官一职是为了整合公司的DRAM、NAND Flash和解决方案的开发资源，保护公司在HBM的领先地位，并开发新AI內存产品。

编辑：芯智讯-林子