当地时间1月15日，美国联邦公报官网发布公告称，美国商务部工业与安全局（BIS）宣布修订出口管理法规（EAR），要求提供与高级计算集成电路（IC）相关的更多尽职调查程序，旨在保护美国国家安全，同时协助前端半导体制造工厂和外包半导体封装与测试（OSAT）公司在遵守EAR供应链相关规定时更有效。
总结来说，该出口管制新规是基于之前的半导体出口管制措施基础上的进一步修正和升级，其限制的核心还是限制对华出口面向数据中心应用的高性能逻辑芯片，这次的重点是限制海外晶圆代工厂和先进封装厂为中国企业代工和封装基于16/14纳米及以下先进制程的，并超过特定晶体管数量限制的逻辑芯片。
其最新的限制规则如下：
使用“16/14纳米节点”或以下先进制程，或使用非平面晶体管架构生产的任何逻辑IC，并且其封装内“聚合近似晶体管计数”超过限制的管数量（如出口、再出口或国内转让年份所规定）的物品，或者如上所述，“前端制造商”或“OSAT”（外包半导体封装和测试）公司无法确认最终包装物品的“聚合近似晶体管计数”，则假定该物品为3A090.a规则下的数据中心产品。
除非满足以下三个条件：
（a）最终封装IC的“聚合近似晶体管数量”低于300亿个晶体管，或
（b）最终封装的IC不包含高带宽存储器（HBM），并且最终封装的集成电路的“聚合估计晶体管数量”在2027年完成的任何出口、再出口或转移（国内）中低于350亿个晶体管；或
（c）2029年或之后完成的任何出口、再出口或转让（国内）400亿个晶体管，则这克服了ECCN 3A090.a中规定的IC的假设。
也就是说，一款芯片如果其采用了16/14纳米节点及以下先进制程，并且其最终封装内，包含有300亿个或更多的晶体管，将会受到限制。相关的前端芯片制造商和OSAT公司将被禁止对华出口此类芯片。由于芯片技术在持续的向前发展，因此，对于晶体管数量的限制会随着时间的推移而逐步放宽，到2027将晶体管数量将放宽至350亿个以内，到2029年或之后的则进一步放宽至400亿个以内。
同时，BIS还创建两个新的实体列表：一个是经批准的IC设计实体，包括苹果、英特尔、AMD、高通联发科等，这些企业设计的芯片将不会受到额外限制；一个是经批准的“OSAT”公司，包括台积电、三星、Amkor、日月光等，这些公司关于最终封装产品的“聚合近似晶体管计数”的证明，可用于克服ECCN 3A090.a注释1中的假设，即“适用的高级逻辑集成电路”是3A090.a限制的数据中心产品。
此外，该新规还修订DRAM“高级节点集成电路”的定义，将存储单元面积从“小于0.0019µm2”修改为“小于0.0026µm2”，并将存储密度从“大于0.288千兆位/平方毫米”修订为“大于0.20千兆位每平方毫米”。此外，该规则增加了“每个管芯超过3000个硅通孔”的参数，以确保捕获根据该定义要捕获的所有DRAM IC，从而取代了之前18nm纳米（nm）半间距标准的限制。
该规则修订了2024年12月2日发布的“外国生产直接产品规则（FDP IFR）”部分内容，对高级计算和半导体制造项目的管控进行完善和澄清，并将书面评论的截止日期延长至2025年3月14日。
该规则将在《联邦公报》发布之日生效。尽管规则立即生效，出口商、再出口商以及本地转让者需在发布15天后开始遵守新要求。合规日期仅适用于本规则修订的EAR文本，不影响此前已经生效的内容。
以下为该规则的内容（有删减）：
一. 背景
2022年10月7日，BIS发布了一系列规则中的第一条，这些规则限制了中国和其他有关国家获得某些先进计算IC（即超过规定性能阈值的IC）和相关物品的能力（10月7号IFR）。2022年10月7日IFR和后续相关规则中的控制措施旨在防止中国和其他地方的恶意国家和非国家行为者获得可用于威胁美国国家安全和外交政策目标的关键技术。
今天，通过这个IFR，BIS正在更新EAR，以提高这些控制的有效性。该IFR旨在解决公众对2022年10月7日IFR控制和后续相关规则的共同要求，即就如何进行尽职调查以确认IC不超过EAR控制中规定的性能阈值提供更详细的指导。特别是，该IFR侧重于为“前端制造商”提供客观、明确的规则，旨在帮助更好地识别有可能以违反美国国家安全和外交政策利益的方式转移的交易；加强尽职调查程序，以确保新客户在提供可能符合先进计算控制水平的IC之前，经过“前端制造商”的适当审查；以及改进涉及可能构成更高转移风险的新客户的交易报告。
2022年10月7日，美国工业与安全局（BIS）首次颁布一系列规则，限制中华人民共和国（PRC）及其他关注国家获取某些先进计算集成电路（IC）（即超出特定性能阈值的IC）及相关项目。这些规则旨在防止恶意国家和非国家行为体获得可威胁美国国家安全与外交政策目标的关键技术。
为增强上述规则的效果，本次修订对相关控制进行了改进。这次更新回应了公众针对2022年10月7日法规及随后规则提出的意见，特别是在如何确认IC性能未超出管控阈值方面，提出了更详细的尽职调查指导。
A、半导体是中国技术野心的核心
中国寻求利用先进的计算IC和超级计算能力开发和部署先进的计算系统和人工智能（AI）模型，以进一步实现超越美国及其盟友的军事能力的目标。先进或前沿的人工智能能力，如大型人工智能基础模型，可以改进大规模杀伤性武器（WMD）、自主武器和先进常规武器的设计和执行。这些人工智能模型辅助的军事决策可以提高速度、准确性、计划和后勤。由于需要高处理能力，开发这些功能需要先进的计算IC。在中国人工智能模型的开发和部署中使用先进的计算IC，将进一步实现中国超越美国及其盟友的军事能力的目标。
中国“正在迅速扩大和提高其人工智能（AI）和大数据分析能力，这可能会扩展到国内使用之外”，包括出口其数字威权生态系统以协助监视，并促进其在海外的影响。
B、对先进计算集成电路的出口管制
2022年10月7日，BIS发布了IFR，“实施额外出口管制：某些先进计算和半导体制造项目；超级计算机和半导体最终用途；实体清单修改”（2022年10月7号IFR），该IFR修订了EAR，对某些IC、含有此类IC的计算机商品和某些半导体制造项目实施管制，并对EAR进行了其他更改，以实施适当的相关管制，包括对某些“美国人”活动。BIS确定，先进的计算IC和相关计算项目——其中许多源自美国或使用美国技术、软件或工具生产——可以使中国发展某些增强的数据处理和分析能力，包括通过人工智能应用，因为先进计算IC和相关计算项目的高处理能力。
具体而言，10月7日的IFR要求向中国出口或再出口超过一定性能阈值的集成电路和相关物品（例如，出口管制分类号（ECCN）3A090中规定的物品）需要许可证，这些物品是受EAR约束的某些技术或软件的“直接产品”，或者是由作为此类技术或软件直接产品的工厂或工厂主要部件生产的。该规则还对向实体清单上的某些实体出口任何受《出口管理条例》约束的物品提出了许可证要求，这些物品是受《出口管制条例》约束某些技术或软件的“直接产品”，或者是由工厂或工厂的主要部件生产的，而工厂或工厂是此类技术或软件直接产品。这一要求极大地限制了中国对“先进节点集成电路（IC）”的访问，因为生产“先进节点IC”需要美国的技术、软件和工具。如果不使用美国的技术、软件和工具，超过10月7日IFR中设定的先进计算IC的控制阈值将极具挑战性，因此控制这些项目大大降低了中国自主生产先进计算集成电路的能力。
2023年10月25日，BIS更新了10月7日IFR实施的控制措施，以应对技术进步并确保控制措施保持有效。特别是，BIS了解到，某些额外的IC可以提供与10月7日IFR中控制的IC几乎相当的AI模型训练能力，因此进一步限制了这些IC。因此，IFR“实施额外的出口管制：某些先进计算项目；超级计算机和半导体最终用途；更新和更正”（AC/S IFR）（88 FR 734582023年10月25日）调整了对先进计算和人工智能应用至关重要的先进计算集成电路的参数，并采取了新的措施来解决规避管制的风险，包括将先进计算集成芯片的许可证要求扩大到适用于D:1、D:4和D:5国家组。
除了对中国和其他地方的先进计算IC和相关项目（如ECCN 3A090中规定的项目）实施许可要求外，BIS还通过AC/S IFR提供了指导，以帮助确保半导体代工厂不会无意中违反基于性能阈值的控制。
具体而言，AC/S IFR通过将13家参与先进计算IC开发的中国实体添加到实体清单中，对其施加了许可要求，包括涉及根据§734.9（e）（2）（脚注4）受EAR约束的外国生产物品的交易。
此外，AC/S IFR提供了额外的危险信号和尽职调查要求，以帮助“前端制造商”（即由另一方设计的IC制造商）确定IC设计是否符合规定的性能阈值，从而在运往相关国家时需要许可证。这些旨在协助“前端制造商”评估IC设计师提供的有关IC性能能力的信息，并评估外国方面是否试图通过非法制造受限IC来规避控制。特别是，“Red Flag”（红旗法案）为先进集成电路的生产商提供了特定的因素，以识别潜在的先进计算集成电路，而不管客户对产品技术参数的断言如何。
具体而言，如果将生产的物品是集成电路、计算机、“电子组件”或包含500多亿个晶体管和高带宽存储器（HBM）的“组件”，它就会发出一个危险信号，表明根据《出口管理条例》很可能需要许可证。根据BIS的标准做法，出口商、再出口商或转让人（国内）需要调查情况和询问最终用途、最终用户或最终目的地国家以解决红旗问题。如果该问题没有得到充分解决，那么出口商、再出口商或转让人（国内）应向BIS提交咨询意见请求或向BIS提出许可证申请，寻求BIS的指导。
2024年12月2日，BIS发布了另一份IFR，“外国生产的直接产品规则增加，以及对先进计算和半导体制造项目控制的改进”（FDP IFR），对某些先进计算项目、超级计算机和半导体制造设备的EAR控制进行了更改，其中包括对某些半导体制造设备和相关项目增加新的控制，为某些商品制定新的外国直接产品（FDP）规则，以削弱某些目的地或相关实体生产“先进节点IC”的能力，对某些对先进计算很重要的高带宽存储器（HBM）增加新的管制，并澄清对允许使用项目的某些软件密钥的管制。例如软件工具。
FDP IFR与另一项BIS最终规则同时发布，该规则题为“实体清单的增加和修改；以及从验证的最终用户（VEU）计划中删除”（实体清单规则）（89 FR 96830 2024年12月5日），该规则增加并修改了实体清单，以确保对某些关键技术实施适当的EAR控制，并尽量减少转移到相关实体的风险。
2025年1月13日，BIS提交了一项与该IFR相关的规则，即“人工智能扩散框架”IFR（AI扩散IFR），供公众检查，该规则对出口、再出口或转让（国内）ECCN 3A090.a、4A090.a分类的先进计算IC以及§742.6（a）（6）（iii）（a）中的相关.z项目提出了全球区域稳定（RS）许可证要求，并创建了几个例外和授权途径，以促进低转移风险或以其他方式促进美国国家安全或外交政策利益的交易，包括美国的技术领先地位。
此外，在2025年1月，BIS提交了一份与该IFR相关的最终规则“实体清单的补充”（铸造实体清单规则）供公众查阅，该规则修订了EAR，在实体清单中增加了16个实体，包括14家中国企业和两家新加坡企业。
具体名单如下：
中国：
Chengdu Suanze Technology Co., Ltd.（成都算泽科技有限公司）
Fujian Sophon Technology Co., Ltd.（福建算丰科技有限公司）
Fujian Suanxin Technology Co., Ltd.（福建算芯科技有限公司）
Jiangsu Suanxin Technology Co., Ltd.（江苏算芯科技有限公司）
Qingdao Sophgo Technology Co., Ltd.（青岛算能科技有限公司）
Quliang Electronics Co., Ltd.（渠梁电子有限公司）
Shanghai Suanhu Technology Co., Ltd.（上海算湖科技有限公司）
Sophgo Technologies Ltd.（算能科技有限公司，此处应该指厦门算能科技有限公司）
Sophon Technology (Beijing)Co.,Ltd.（北京算能科技有限公司）
Suanli (Fujian) Technology Co., Ltd.（算力（福建）科技有限公司）
Tianjin Shunhua Technology Co., Ltd.（天津舜华科技有限公司）
Wuhan Suanneng Technology Co., Ltd.（武汉算能科技有限公司）
以上14家公司当中13家为厦门算能科技有限公司子公司或孙公司，仅渠梁电子有限公司属于记忆科技（深圳）有限公司旗下子公司。
新加坡：
Sophgo Technologies Pte. Ltd.
PowerAir Pte. Ltd.
这两家新加坡公司疑似也是算能科技关联企业。
C、与“适用的先进逻辑集成电路（IC）”相关的额外控制的国家安全基础
2022年10月7日IFR实施后，BIS继续研究和评估其控制措施在保护美国国家安全和外交政策利益方面的有效性。为此，BIS依靠开源报告、公众评论、行业分析以及美国政府可用的其他信息来源。在过去的一年里，国际清算银行确定有必要对现有的控制措施进行修改。
BIS评估认为，相关实体清单条目、红旗要求和技术指导并没有完全确保为IC设计人员生产IC的代工厂和IC供应链中的其他相关公司能够明确确定这些IC是否符合或超过ECCN 3A090控制参数。
如上所述，EAR提供了一系列红旗指标，代工厂可以使用这些指标来评估IC的性能水平。然而，BIS评估称，试图将符合ECCN 3A090控制参数的IC转移到未经授权的最终用途和最终用户的实体可能会歪曲其IC的性能，使铸造厂难以充分验证此类产品的性能。首先，BIS已经评估，晶体管数量低于当前红旗19（500亿晶体管数量）规定的IC可以达到ECCN 3A090规定的性能阈值。因此，红旗指标没有为收到晶体管数量低于500亿的IC订单的代工厂提供任何指导，以验证客户对这些IC是否属于ECCN 3A090的断言。
此外，评估IC性能的这些技术挑战可能出现在IC生产过程的多个阶段。如果代工厂不控制IC的最终封装，IC有被转移的风险，后来被封装成超过ECCN 3A090中规定的性能阈值的产品。例如，客户可以要求晶体管计数刚好低于当前晶体管计数红旗阈值的IC，并与OSAT公司签订合同，将该IC整合到超过ECCN 3A090中规定的性能阈值的封装产品中。评估IC最终性能能力的这些挑战增加了铸造厂无法发现第三方逃避BIS控制的风险。
即使在铸造厂通过封装和测试保持对晶圆的控制的情况下，BIS也发现了确保符合先进计算IC控制的挑战。BIS了解到，合同安排可能会禁止代工厂分析某些商业机密信息（例如设计文件），这些信息将使IC的最终使用和性能能力更加清晰。此外，基于设计文件评估IC的性能可能具有挑战性。这种对IC性能缺乏可见性意味着此类IC可能会超过ECCN 3A090性能阈值，并最终被转移到中国和其他国家安全问题目的地或被禁止的实体，用于先进的人工智能应用。因此，BIS评估称，通过可验证的技术指标，如节点（可由代工厂立即验证）和晶体管计数（可通过代工厂和OSAT之间的通信验证），控制将更有效。
IC设计者可能歪曲符合ECCN 3A090控制参数的“适用高级逻辑IC”的ECCN，并将这些IC转移到未经授权的最终用途或最终用户的风险不是假设的。BIS观察到，中国实体和其他实体通过中介机构和/或空壳公司持续努力逃避对“高级计算IC”的控制，以及通过实体清单施加的限制。开源报告描述了中国公司使用外国子公司或其他方式购买受EAR控制的IC。为了应对这些努力，以及中国境内外（包括EAR中规定的香港和澳门特别行政区）寻求通过转运、转移和访问世界各地目的地具有先进计算IC的数据中心来获取先进计算IC，AC/S IFR和AI Diffusion IFR扩大了出口、再出口或转让（国内）先进计算IC所需许可证的目的地范围。
尽管BIS的控制措施是有效的，但它们并没有完全阻止先进计算IC转移到中国和其他受关注的目的地和实体。因此，BIS已确定，有必要对这些集成电路进行进一步限制，以确保先进的计算集成电路只出口给转移到受限制实体的风险较低的客户。虽然某些IC设计人员和/或OSAT在遵守出口管制方面有着悠久的历史，但需要更多的保障措施来确保中国和其他实体无法通过从第三方转移来访问先进的计算IC。
为此，该IFR对“前端制造商”以及“OSAT”公司提出了更广泛的许可要求，寻求根据ECCN 3A090.a向全球任何目的地出口、再出口或转让（在国内）某些“适用的先进逻辑集成电路”（见EAR§742.6（a）（6）（iii）（a），与新的注释1至3A090结合使用），除非通过注释1至3A-090第a.至c.段中概述的三种方式中的任何一种克服许可证要求。为了排除在这一扩大范围内可能捕获的大量低风险交易，该规则提供了三种方法来克服许可证要求，并创建了可靠来源清单来验证“适用的高级逻辑IC”：
（i） 经批准的IC设计者（列于第740部分补充6中），
（ii）经批准的“OSAT”公司（列于第740部分第7号补充文件中），以及
（iii）根据3A090.A注释1中的标准识别授权IC设计者的方法。
经批准的上市实体是指向BIS提交请求以添加到名单中，并通过最终用户审查委员会（ERC）批准添加到相关名单中的实体。（关于§748.16（a）（4）和第III.B节中规定的做出此类决定所使用的标准的描述，请参见第III.D节）。
授权IC设计实体是指符合新注1至3A090.a标准的IC设计实体。在2026年4月13日之前，授权IC设计实体包括总部位于中国台湾地区或国家组a:1或a:5中指定的目的地的所有IC设计实体，这些设计实体既不位于也没有最终母公司总部位于中国澳门或国家组D:5（EAR第740部分第1号补充文件）中指定的目标地；并且已同意向“前端制造商”提交§743.9（b）中所述的适用信息，“前端制造商“必须向BIS报告。2026年4月13日之后，授权IC设计实体包括任何既符合这些标准又提交了成为批准IC设计师申请的IC设计师。然而，2026年4月13日之后被视为授权IC设计实体的任何公司，在提交成为批准IC设计实体的申请180天后，将不再是授权IC设计实体。
该规则还修改了许可证例外人工智能授权（AIA）和先进计算制造（ACM），以便某些例外仅适用于由经批准的IC设计师设计的项目，这些设计师可能会准确报告他们要求先进代工厂制造的项目的ECCN。
二、本暂行最终规则概述
在本IFR中，BIS对EAR控制进行了七类更改。本IFR实施的六类变更在第三节中描述如下：
A.修订许可证例外AIA和ACM；
B.第740部分的第6和第7号新补充，包括批准的IC设计师和批准的“OSAT”公司的名单，以及指定目的地的授权IC设计师；
C.对为授权IC生产先进计算IC的“前端制造商”提出新的报告要求，以及新的“了解你的客户”（KYC）审查表；
D.从批准的IC设计者和批准的“OSAT”公司名单中添加、修改和删除的申请流程；
E.新定义；
F.修订幼儿保育网，以澄清幼儿保育网3A090的范围；
G.FDP IFR中对EAR的修订和澄清
三、 EAR的变化
A.对许可证例外情况的修订人工智能授权（AIA）和先进计算制造（ACM）
本IFR修订了两个许可证例外范围内的项目：许可证例外AIA（§740.27）和许可证例外ACM（§740.28）。许可证例外AIA授权向位于第740部分第5号补充第（a）段所列目的地内的实体出口、再出口和转让（在国内）第（a”（1）和（a）（2）段中确定的物品，除非该实体的总部设在第740部分补充第5号补充第（b）段规定的目的地之外，或其最终母公司的总部设在该目的地之外。同时，根据附加条件，对第（a）（3）段中的某些型号重量进行了扩展授权。
许可证例外ACM授权将符合条件的物品（ECCN 3A090、4A090和相关.z商品、软件和技术）出口、再出口和转让（国内）给位于非国家组D:5中列出的目的地的“私营部门最终用户”，或中国澳门，前提是其总部不在中国澳门，也没有总部设在中国澳门的最终母公司或国家组D:5中指定的目的地，如果最终用途是“开发”、“生产”或储存（在仓库或其他类似设施中）此类合格物品。
本IFR修订了许可证例外AIA，增加了对三种符合此例外条件的商品的要求：ECCN 3A090.a；5A002.z.1.a、z.2.a、z.3.a、z.4.a、z.5.a；以及5A992.z.1。这三个ECCN的要求规定，只有当这些ECCN由批准或授权的IC设计师设计时，它们才有资格获得此许可证例外，分别如第740部分补充6和ECCN 3A090.a注释1所述。这一要求旨在确保铸造厂和其他寻求使用此例外的实体只有在项目由具有低转移风险的实体设计的情况下才能这样做。根据ECCN 3A090.a注1的规定，授权IC设计实体是指（i）在中国台湾地区或国家组a:1或a:5中指定的地点，其总部既不在中国澳门，也没有最终母公司总部在第740部分第1号补充文件的国家组D:5中指定的地方，以及（ii）其交易需遵守EAR第743.9条中的报告要求。
本IFR同样修订了许可证例外ACM。对（b）款进行了修订，增加了对三种符合此例外条件的商品的要求：ECCNs 3A090.a；5A002.z.1.a、z.2.a、z.3.a、z.4.a、z.5.a；以及5A992.z.1。这三个ECCN的要求规定，只有由经批准或授权的IC设计师设计的ECCN才有资格获得此许可证例外，分别如第740部分补充6和ECCN 3A090.a注释1所述。与许可证例外AIA的新要求一样，这一要求旨在确保寻求使用许可证例外ACM的铸造厂和其他实体只有在与转移风险较低的实体合作时才能这样做。
这些修订确保了这三个ECCN的许可证例外ACM和AIA授权仅在由经批准或授权的IC设计师设计时可用，这支持了更安全的供应链。EAR仍然要求“前端制造商”对授权和批准的IC设计师进行持续的技术和KYC尽职调查，并将结果报告给BIS。这确保了BIS拥有这些实体的最新信息，使BIS能够对报告的任何相关信息采取行动。下文将更详细地讨论用于指定授权和批准的IC设计师的因素，但被确定具有强大的出口管制合规历史并经过美国政府审查的实体可能是值得信赖的IC设计师。此外，这些例外情况适用于总部位于A:1、A:5和中国台湾的授权IC设计实体设计的物品，这些国家是多边出口管制制度（例如《常规武器和两用货物和技术出口管制瓦森纳安排》）的成员国，有权控制关注的关键物品，或有动机确保遵守这些额外要求。这些目的地与美国政府有着共同的利益，即打击先进节点IC的转移或滥用，促进相互安全，这些目的地的公司通常向先进代工厂歪曲其产品技术规格的可能性较低。
根据本IFR的变化，这些修订后的许可证例外将促进低风险贸易，同时允许美国政府首先审查此类先进IC的潜在批准实体，而不是仅仅依靠代工尽职调查来识别潜在的转移风险。与授权IC设计师相关的报告要求还将使美国政府能够了解这些实体与先进代工厂之间的验证过程，以确保其按预期运行。因此，总部位于中国澳门或国家组D:5中指定的目的地的实体将更难获得受EAR约束的先进计算IC，因为它们试图通过可能歪曲其产品技术规格的实体下订单，然后将先进计算IC转移到受限制的目的地。
B.第740部分的第6和第7号新补充，包括批准的IC设计实体和批准的“OSAT”公司以及授权的IC设计实体名单
对第740部分进行了修订，增加了第6号和第7号补充，以创建两个新的实体列表：经批准的IC设计实体（补充6）和经批准的“OSAT”公司（补充7）。
在决定最初将哪些实体纳入这些补充文件时，最终用户审查委员会（ERC）的代表机构评估了各种国家安全和外交政策因素，包括公司参与适当最终用途活动的记录；公司的出口许可证和相关历史记录，表明遵守美国出口管制，以及存在与该公司有关的其他潜在贬损信息（例如，引发对公司所有权问题的信息）；申请人是否有长期购买先进集成电路的历史；申请人防止滥用和转移计算资源的能力；公司总部及其主要经营场所的位置；公司集成电路贸易的数量和性质；以及BIS确定的其他相关因素。在决定哪些实体需要纳入或从这些补充中删除时，ERC将应用相同的因素。
i.在第740部分增加第6号补充
ECCN 3A090.a注1中引用的第740部分第6号新增补列出了经批准的IC设计实体：
Advanced Micro Devices（AMD）、Alphabet、Amazon、Analog Devices（ADI）、Apple（苹果公司）、BAE Systems、Block、波音公司、博通、Cerebras Systems、Cisco Systems、Hewlett-Packard Enterprise Company（HPE）、Honeywell International、Infineon Technologies AG（英飞凌）、Intel（英特尔）、International Business Machines Corporation（IBM）、L3Harris Technologies、Marvell Technology、联发科、Meta Platforms、Micron Technology（美光科技）、微软、三菱集团、诺基亚、英伟达、恩智浦半导体、高通公司、雷神公司、Realtek、索尼集团、特斯拉、德州仪器（TI）、西部数据。
第748.16节解释了如何申请添加到经批准的IC设计实体名单中。要添加到批准的IC设计实体名单中，计划生产一个或多个ECCN 3A090.a分类的IC的IC设计实体必须以咨询意见的形式向BIS提交请求，并附上某些所需的信息，即第748部分新补充4中的信息。将公司添加到第740部分第6号补充中批准的IC设计者名单的咨询意见请求的处理将遵循《出口管理条例》第748部分第9号补充中规定的审查已验证最终用户请求的跨部门流程。BIS将对最初包含在第740部分第6号补充中的公司进行补充外联，以确保继续遵守EAR，包括本IFR颁布的要求。
ii、在第740部分增加第7号补充
第740部分第7号补充文件将以下公司列为经批准的“OSAT”公司，参见ECCN 3A090.a的注1：
Amkor Technology（安靠）、Ardentec Corporation、ASE Technology Holding（日月光投控）、Doosan Tesna、Fabrinet、Giga Solution Tech、GlobalFoundries、HT Micron Semiconductors SA、Intel Corporation、International Business Machines Corporation（IBM）；KESM Industries Berhad、LB Semicon、Micro Silicon Electronics、Nepes Corporation、Powertech Technology Inc（PTI）、QP Technologies、Raytek Semiconductor、Samsung Electronics（三星电子）、SFA Semicon、Shinko Electric Industries、Sigurd Microelectronics Corporation、台积电（TSMC）和联华电子（UMC）。
为了制定这份名单，BIS确定了目前从事“适用先进逻辑IC”生产的“OSAT”公司，这些公司总部设在澳门以外或《出口管理条例》第740部分补充1中国家组D:5中指定的地点。BIS和其他出口管制机构随后逐案审查了这些实体。根据对美国政府可用的开源和其他信息的审查，这些公司已被确定为获得批准。因此，这些公司关于最终封装产品的“聚合近似晶体管计数”的证明可用于克服ECCN 3A090.a注释1中的假设，即“适用的高级逻辑集成电路”是3A090.a.产品。
为了申请被添加到批准的“OSAT”公司名单中，§748.16规定，计划测试、组装或封装一个或多个超过3A090技术阈值的物品的“OSAT”公司必须以咨询意见的形式向BIS提交请求。处理将公司添加到第740部分第7号补充中批准的“OBAT”公司名单的咨询意见请求将遵循《出口管理条例》第748部分第9号补充中规定的审查经验证的最终用户请求的跨部门流程。
BIS将对最初包含在第740部分第7号补充中的公司进行补充外联，以确保继续遵守EAR，包括本IFR颁布的要求。
iii.为授权IC设计实体生产“适用的高级逻辑集成电路”的“前端制造商”的报告要求。
第743.9节为授权IC设计实体增加了生产ECCN 3A090.a中规定的任何IC的“前端制造商”的新报告要求。授权集成电路设计实体是指符合新注释1至3A090.a标准的实体，包括同意向“前端制造商”提交§743.9（b）中所述的适用信息，然后“前端制造商“必须向BIS报告，并将这些实体排除在注释1至3A-090.a中描述的某些许可要求之外。这些新的报告要求旨在确保美国政府能够了解未列入初始批准的集成电路设计名单的公司。
请注意，BIS持续监控出口许可和贸易数据，并可能对经批准的“OSAT”公司和经批准的IC设计者采取纠正措施，包括实施报告要求，如果这些方提出美国国家安全或外交政策问题。
第743.9条第（a）款规定，生产ECCN 3A090.a中规定的任何授权IC设计师的IC的“前端制造商”必须根据本节向BIS提交报告（第743.9（a）条）。由于只有少数“前端制造商”能够生产ECCN 3A090.a中规定的IC，因此可以整合较小的“前端制造商“的报告要求，他们可以帮助验证更广泛的IC设计师和他们合作的“OSAT”公司。构建“前端制造商”的报告要求可确保经济和合规负担最小化，并将其置于最有能力提供有助于解决潜在转移问题的信息的公司身上。此外，“前端制造商”不需要提供有关出口、再出口或（国内）转让给授权IC设计实体并成为批准IC设计者的实体的信息。
第（b）至§743.9段确定了“前端制造商”必须收集的信息，并将其纳入提交给BIS的每份关于授权集成电路设计师的报告中（例如，授权集成电路设计者的姓名、地址和联系方式；本部分第2号补充中包含的最终用户审查表；以及报告季度销售的ECCN 3A090.a中指定或假定指定的各类集成电路的描述）。报告中关于ECCN 3A090.a中指定或假定指定的IC的信息应包括设计者、产品名称、型号（如果知道）和报告季度内的销售量。这些信息使美国政府能够了解核查过程。
§743.9的最后三段提供了有关如何提交报告以及在何处提交报告一般信息的更多信息。§743.9第（c）（1）款规定，根据本节规定，必须每季度提交一次报告，第一次报告必须在2025年5月31日前提交，报告应涵盖2025年1月31日至4月30日期间的任何出口、再出口和转让（国内）。此后，（c）（2）段规定，BIS必须在5月31日之前收到截至4月30日的报告期的报告。BIS必须在8月31日之前收到截至7月31日的报告期的报告。BIS必须在11月30日之前收到截至10月31日的报告期的报告。BIS必须在2月28日之前收到截至1月31日的报告期的报告。
段落（d）提供了电子邮件地址，EAR.Reports@bis.doc.gov，其中报告必须在主题行中与授权的IC设计师一起提交。（e）段指出，有关报告的一般信息或问题可以提交给国家安全控制办公室，电话：（202）482-0092，或电子邮件：EAR.Reports@bis.doc.gov
第743.9节中讨论的授权IC设计者KYC审查表已通过本IFR添加到第743部分的第2号新补充中。本补充文件包含一份问卷，作为EAR§743.9中授权IC设计师报告要求的一部分，必须填写该问卷。第743部分第2号补充表格中问题的未解决答案“是”被视为红旗。“前端制造商”在继续进行交易之前需要进行额外的尽职调查。表格中的问题是KYC最佳实践，在这种情况下尤其重要，因为公司有可能寻求先进的铸造服务来规避对先进计算项目的控制。它们不是尽职调查要求的详尽清单，但提供了应作为KYC筛查一部分的重要信息。这些问题集中在三个方面：授权IC设计者的合法性；授权IC设计者是否与综合筛选名单上的任何条目相匹配；以及筛查特定交易的任何其他方；以及一般的危险信号，例如货运代理公司是否被列为最终目的地，或者任何一方是否似乎为交易支付了过高的费用。
D.从批准的IC设计者和批准的“OSAT”公司名单中添加、修改和删除的申请流程
i.对咨询意见流程的更改，用于请求从批准的IC设计师或批准的“OSAT”公司名单中添加、修改或删除。
在§748.3（c）（咨询意见）中，本IFR进行了修订，以说明咨询意见程序，该程序将用于要求一方从第740部分补充6中的批准IC设计师名单中添加、删除或修改，或从第740部补充7中的批准“OSAT”公司名单中删除或修改。这些变更在§748.3第（c）（4）款中实施。本IFR将现有的（c）（4）段重新命名为（c）段（5）。
ii.第748.16节：申请增加、修改或删除已批准的IC设计者和已批准的“OSAT”公司名单。
第748部分进行了修订，增加了新的第748.16节，用于批准IC设计师和批准的“OSAT”公司的添加、删除或修改请求。为了有资格被列入《出口管理条例》第740部分第6或第7号补充文件，§748.16指出，申请人必须遵守本节第（a）至（d）款的规定。这些规定在本节第III.D.ii节的以下段落中进行了更详细的讨论，确立了批准的IC设计者的资格和批准的“OSAT”公司地位，并制定了从批准的IC设计师和“OSAT“公司名单中添加、修改和删除的协议。第748.16节指出，如果《出口管理条例》第740部分第6号或第7号补充中列出的请求未获批准，则不会触发新的许可要求。此外，这样的结果不会使该实体没有资格获得BIS的许可证批准，也不排除随后批准第740部分补充6或7中列出的请求。这些澄清是为了确保实体不会被劝阻申请列入本补编。
§748.16第（a）（1）款规定，只有设计、组装、测试或封装集成电路的实体，或有可靠计划这样做的实体，才会被考虑添加到第740部分第6或第7号补充中的列表中。总部或最终母公司总部设在中国澳门或目的地位于D:5国家组的实体不符合资格，因为它们面临着向“前端制造商”提供不准确信息的巨大压力，以获得先进的代工服务，制造受限制的先进集成电路。与此同时，没有设计、组装、测试或封装IC并且没有可靠计划这样做的实体没有资格被列入这两个名单，因为他们无法证明自己没有设计、装配、测试或包装的IC的性能规格。
第（a）（2）款规定，在请求将信息添加到清单中时，应包括第748部分第4号补编中的信息。此所需补充中的信息与经验证的最终用户（VEU）申请人所需的信息非常相似（即，所有权、记录保存方法、符合§748.16所有规定的证明以及确认和同意声明）。
第（a）（3）款提供了一个电子邮件地址，用于发送所有类型的请求。请求必须以咨询意见请求的形式提交，如§748.3（c）所述，请求应标记为“批准的供应链实体请求”，并通过电子邮件发送至approved_supply_chain@bis.doc.gov.
第（a）（4）款规定了最终用户审查委员会（ERC）在评估申请人是否有资格被列为经批准的IC设计者或经批准的“OSAT”公司时使用的一些因素。
这些因素包括：（一）申请人专门从事适当最终用途活动的记录；（ii）申请人遵守美国出口管制；（iii）批准前需要进行现场审查；（iv）申请人符合被列为认可IC设计者的要求的能力；（v） 申请人防止滥用和转移计算资源的能力；以及（vi）申请人与美国和外国公司的关系。
此外，第（a）（4）款细则还规定，在评估IC设计者或“OSAT”公司获得批准地位的资格时，ERC将考虑申请人总部所在国家的出口管制状况，以及这些国家对多边出口管制制度的支持和遵守情况。所有这些因素都与评估申请人遵守所有美国出口管制法规并构成低转移风险的风险有关。
第（a）（5）款指出，经批准的IC设计者和经批准的“OSAT”公司的名单可能会被全部或部分修订、暂停或撤销。
第（a）（6）款强调，在添加或修改请求中提交的信息被视为构成对现有事实或情况的持续陈述。与授权有关的任何重大或实质性变更，无论状态是否已授予或仍在考虑中，都必须及时报告给BIS。这些规定确保获得批准的IC设计者身份以及是否授予该身份的决策得到最新信息的通知。
第（b）款要求请求人根据《出口管理条例》第762部分规定的记录保存要求，保留与根据§748.16提交的所有请求有关的记录。这是为了确保在进行调查时，BIS可以要求获取在获得和维护名单状态过程中所做的相关事实和陈述。
第（c）段确定了授权集成电路设计人员需要向生产ECCN 3A090.a下分类的集成电路的“前端制造商”报告的信息，“前端制造商“必须向BIS报告这些信息。这些报告要求见第三节c中讨论的授权集成电路设计人员的§743.9报告要求。
最后，被列为经批准的IC设计者和经批准的“OSAT”公司的实体可以按照本节第（a）（2）款的指示，要求删除其在《出口管理条例》第740部分第6或第7号补充中的列名。第（d）段指出，记录保存和向“前端制造商”或“多个前端制造商”报告必须继续进行，直到《出口管理条例》更新，将该实体从《出口管理办法》第740部分第6或第7号补充中删除。任何最终用户审查委员会成员都有权根据EAR第748部分第9号补充中的权限，提出对IC设计者名单和OSAT名单中的条目进行添加、修改或删除的建议。
E.新定义
第772.1节进行了修订，增加了五个定义：“16/14纳米节点”、“聚合近似晶体管计数”、“适用的高级逻辑集成电路”、“前端制造商”和“外包半导体组装和测试（OSAT）”。这些术语被添加到§772.1中，以帮助公众轻松找到这些术语的定义，因为它们在EAR的多个部分中使用。
“16/14纳米节点”、“聚合近似晶体管计数”和“适用的高级逻辑集成电路”的新定义以一种方式定义了这些技术术语，这将在EAR下为这些术语的使用位置增加更大的特异性。“前端制造商”和“外包半导体组装和测试（OSAT）”的新定义为EAR的目的定义了这些类型的实体，并将使出口商、再出口商和转让人更容易识别这些类型的主体。
本IFR还修改了“高级节点集成电路”的定义，修改了动态随机存取存储器（DRAM）IC的第（3）段，将存储单元面积从“小于0.0019µm2”修改为“小于0.0026µm2”，并将存储密度从“大于0.288千兆位/平方毫米”修订为“大于0.20千兆位每平方毫米”。此外，该规则增加了“每个管芯超过3000个硅通孔”的参数，以确保捕获根据该定义要捕获的所有DRAM IC。此外，在定义的注释2中，“千兆字节”一词改为“千兆比特”。有关这些修订的更多说明，请参阅第III.G.i.b节。
F.修订以澄清ECCN 3A090.a的范围
BIS寻求进一步确保“前端制造商”和“OSAT”公司的客户，包括潜在的空壳公司，不能通过歪曲其IC设计的性能来逃避对先进计算IC的控制。因此，BIS已确定，“前端制造商”仅依靠最终用户或交易其他方的证明来确认ECCN是不够的。因此，本IFR通过修订ECCN 3A090.a对第774部分的第1号补充进行了修订。
本IFR在ECCN 3A09.a中增加了注释1，以澄清当“前端制造商”或“OSAT”公司寻求出口、再出口或转让（国内）任何“适用的高级逻辑集成电路”时，可以推定该物品是3A090.a.，是为数据中心设计或销售的。除非克服了这一假设，否则“前端制造商”或“OSAT”公司必须遵守适用于3A090.a中规定的项目的所有要求。
可以通过以下三种方式之一克服这一假设：
i.如果“适用的高级逻辑集成电路”的设计实体是经批准或授权的IC设计实体。
如上所述，经批准的IC设计实体已由美国政府审查，而在2026年4月13日之前，经授权的IC设计师包括所有IC设计实体（a）总部位于中国台湾地区或国家组a:1或a:5中指定的目的地，既不位于也没有最终母公司总部位于澳门或国家组D:5（EAR第740部分第1号补充文件）中指定的目标地，以及（b）其交易需遵守EAR第743.9条中的报告要求。
2026年4月13日之后，如果一家公司既符合这些标准，又提交了成为获批IC设计实体的申请，则将被视为授权IC设计实体180天。以这种方式构建ECCN允许大多数IC设计人员（因为上述目的地占“前端制造商”收入的绝大多数）在没有许可证的情况下进行交易，但提高了美国政府对这一批准的供应链流程的可见性。特别是，总部位于中国台湾地区或国家组a:1或a:5指定目的地的授权IC设计师，如果其“前端制造商”符合此类客户的报告要求，则可以克服这一假设。2026年4月13日之后，获得豁免的主要方式是成为经批准的IC设计师（此处描述的180天路线除外）。
ii.如果IC芯片由“前端制造商”在中国澳门以外的地点或第740部分补充1中国家组D:5中指定的目的地进行封装，则“前端制造商“的证明，即
（a）最终封装IC的“聚合近似晶体管数量”低于300亿个晶体管，或
（b）最终封装的IC不包含高带宽存储器（HBM），并且最终封装的集成电路的“聚合估计晶体管数量”在2027年完成的任何出口、再出口或转移（国内）中低于350亿个晶体管；或
（c）2029年或之后完成的任何出口、再出口或转让（国内）400亿个晶体管，则这克服了ECCN 3A090.a中规定的IC的假设。
由“前端制造商”自己在D:5或澳门以外的地点完成的封装将使该芯片制造商能够对芯片的技术参数进行可信、可靠的评估。如果“前端制造商”自己进行包装，他们将明确知道最终的包装物品是否超过了上述规定的适用晶体管阈值，因此前端制造商不需要完全依赖客户的信息。
iii.如果IC由《出口管理条例》第740部分第7号补充中列出的经批准的“OSAT”公司封装，则该经批准的公司应证明：
（a）最终封装IC的“聚合近似晶体管数量”低于300亿个晶体管，或
（b）最终封装的IC不包含高带宽存储器（HBM），并且最终封装IC在2027年完成的任何出口、再出口或转让（国内）的“聚合接近晶体管数量”均低于350亿个晶体管；或
（ii）2029年或之后完成的任何出口、再出口或转让（国内）400亿个晶体管，则这克服了ECCN 3A090.a中规定的IC的假设。
鉴于美国政府已对这些实体进行了评估，以准确报告最终包装物品的最终性能，因此，由经批准的“OSAT”公司完成包装应能对最终物品的技术规格进行可靠评估。
如果一家经批准的“OSAT”公司能够确认最终产品不包含超过适用数量的晶体管（根据出口、再出口或国内转让的年份指定），那么这种产品不太可能是先进的AI芯片。这三个条件中的任何一个都足以提高客户对IC性能的认证的可信度，从而使潜在客户能够在不申请许可证的情况下继续进行。
在《出口管理条例》第740部分第6号补充中列出的经批准的IC设计实体没有证明“总处理性能”和“性能密度”的情况下，使用“16/14纳米节点”或以下，或使用非平面晶体管架构生产的任何逻辑IC，如果其目的地是封装内“聚合近似晶体管计数”超过适用晶体管数量（如出口、再出口或国内转让年份所规定）的物品，或者如上所述，“前端制造商”或“OSAT”公司无法确认最终包装物品的“聚合近似晶体管计数”，则假定该物品为3A090.a为数据中心销售。
同样，由经批准的“OSAT”公司进行处理，并经过BIS和相关跨部门合作伙伴的审查，可以克服“适用的高级逻辑IC”是3A090.a项目并为数据中心设计或销售的假设。
重要的是，ECCN 3A090中的推定不适用于根据ECCN 4A003.z、4A004.z、4A 005.z或4A090分类的物品。因此，本IFR规定的变更主要限于“前端制造商”寻求将IC出口给芯片设计实体或“OSAT”公司的情况。
注2: 3A090.a提供了管芯的“近似晶体管计数”的定义，即管芯的晶体管密度乘以以平方毫米为单位的管芯面积。管芯的“晶体管密度”是用于制造管芯的工艺节点每平方毫米可以制造的晶体管数量。
G.对FDP IFR所做更改的修订
i.非商业管制清单（CCL）修正案
a.对§744.11的修订
本规则对§744.11（a）（2）（v）进行了修订，以协调总部位于中国澳门或其最终母公司位于澳门或国家组D:5中指定的目的地的实体从国外出口或从所有国家再出口的许可证要求的产品范围，与总部位于第742部分第4号补充中未指定的国家的实体或其最终总公司位于第744.11条（a）款（3）（i）中的许可证规定的产品范围。具体而言，该规则在第（a）（2）（v）（a）（1）款的范围内增加了额外的ECCN，即ECCN 3B993，根据该IFR，现在是ECCN 3B001（3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、f6、g、h、k到n、p.2、p.4或r除外），3B002（3B002.c除外），3B611、3B903、3B991（3B991.b.2.a至3B991.b.2.b除外）、3B992、3B993或3B994。
b.修订DRAM“高级节点集成电路”的定义
该规则更新了§772.1中DRAM IC的“高级节点集成电路”的定义，以澄清（1）其先前的18纳米（nm）半间距标准BIS打算捕获的相关单元面积为0.0026平方微米（µm2）；（2） 打算用其18nm半间距标准捕获的相关存储器密度为每平方毫米0.20千兆位（Gb/mm2）；以及（3）每个管芯要捕获的硅通孔的相关数量是“每个管芯3000多个硅通孔”的参数。2022年10月，BIS根据§744.6（c）（2）和744.23（a）(2)。在FDP IFR中，BIS直接参考这些技术参数，取代了18 nm半间距标准。
然而，根据对DRAM生产信息的进一步分析，BIS确定，由于IRDS定义和相关代工厂生产的DRAM的实际参数，IRDS对“18nm半间距”的定义并不完全涵盖相当于“18nm一半间距”的DRAM IC。因此，它并不限制§744.23（a）（2）所涵盖的物品的出口、再出口和（在国内）转让，也不限制美国人§744.6（c）（2)。因此，本次更新修改了单元面积和存储器密度参数，使其与DRAM行业18 nm半间距节点的生产标准保持一致，而不是基于DRAM存储器的理论模型而非实际物理特性的IRDS对“18 nm半螺距”的定义。本次修订对以前不受2024年12月5日FDP IFR中DRAM定义控制的DRAM设施实施了最终用途和美国人控制。
c.对脚注5的修订，涉及对逻辑和DRAM“高级节点集成电路”“生产”的支持
该规则扩大了适用于脚注5实体的新De Minimis和FDP所涵盖的最终用户范围，包括发生逻辑和DRAM“高级节点集成电路”“生产”的任何最终用户设施。正如FDP IFR中所解释的那样，由于实体清单规则中描述的特定国家安全和/或外交政策问题，包括支持或有可能支持中国生产“先进节点集成电路”的努力，包括用于军事最终用途，BIS在实体清单中增加了16个实体，并指定了脚注5。这些控制措施补充了BIS在《出口管理条例》第744.6（c）（2）条和第744.23（a）（2中）条中对“先进节点集成电路”“生产”的现有控制措施。本IFR中的修订将确保在“知道”某一物品将运往位于相关设施的某些实体时，对某些外国生产的物品实施控制，无论这些物品是否已被添加到带有脚注5的实体清单中。目前，BIS已决定对“生产”逻辑和DRAM“先进节点集成电路”的设施增加域外管制。
d.对§734.4（a）（3）文本和脚注的修订
本规则将§734.4（a）（3）中的“a”修改为“This”，以澄清本节中的相关“商品”是ECCN 3B993.f.1中描述的设备。本IFR还更新了§734.4的脚注1，以解决行业关于哪些国家对这些物品进行控制的问题。
e.修订§734.9（a）以增加知情权
本规则对§734.9（a）进行了修订，增加了第（a）（3）款，以澄清BIS有权通知人们，位于美国境外的外国生产的物品在符合§733.9中任何FDP规则的要求时受EAR的约束，截至本IFR生效之日，该规则由第（b）至（k）款组成，并通知人们适用于此类物品的任何许可证要求。
f.更正§734.9中的四个音符名称，使其按顺序排列
在§734.9中，本IFR还重新指定了四个现有注释，将注释按数字顺序排列在该节中，以符合《联邦公报》办公室对章节中注释顺序编号的要求。本IFR将（g）段注释3重新指定为（g）款注释4，将（h）（2）（ii）段注释5重新指定为第（h）段注释6，将（k）（1）（二）（B）段注释三重新指定为第一（k）段注释六，将第（l）段注七重新命名为第一（1）段注释八。
g.在§734.9（h）（1）中增加注释4
在高级计算FDP规则中，本IFR在§734.9（h）（1）中添加了注释4，以提醒制造设施和“OSAT”公司，根据ECCN 3A090的注释1，当IC是“适用的高级逻辑集成电路”时，可以推定该商品是ECCN 3A09.a，并且是为数据中心设计或销售的，即使用“16/14纳米节点”或以下或使用非平面晶体管架构生产的逻辑集成电路。
h.修订临时通用许可证（TGL）的产品范围——限制较少的中小企业“零件”、“组件”或“设备
在第736部分的第1号补充中，本IFR修订了第（d）（1）（i）（A）段中TGL的产品范围——第（d”（1）段中限制较少的SME“零件”、“组件”或“设备”。本IFR删除了第（d）（1）（i）（A）段中对ECCN 3A991的引用，并在其位置添加了3B991，以纠正产品范围。
ii.商务管制清单修订
a.修订以增加改进3B001.f和3B993.f光刻设备的项目
本规则在3B001.f.、3B993.f.、3D992、3D993、3E992和3E993下增加了新的段落，用于设计或修改商品、“软件”和“技术”，以改进3B001.f.1和3B993.f中规定的深紫外光刻设备的最小可分辨特征尺寸和“专用卡盘覆盖层”。这些新的控制措施涵盖了3B001.f.1.或3B993-f中没有规定为此类设备的“专门设计”“组件”或“附件”的项目，或是在相关的3D和3B ECCN中为此类设备“开发”或“生产”专门设计的“软件”和“技术”的项目。该规则还修改了EAR中的各种交叉引用，以包括3B001.f.6。
b.对ECCN 3B993和3B994的修订
该规则修改了ECCN 3B993和3B994的标题，以规定这些ECCN中规定的商品的设备和“专门设计”的“组件”和“配件”。BIS正在进行这些更改，以使ECCN 3B993和3B994的范围与ECCN 3B001和3B002中的类似控制相协调。
c.对ECCN 3D992、3D993、3D994、3E992、3E993和3E994的修订
对第3D992.a、3D993.a、3E993.a段进行了修改，增加了“专门设计”，以与其他990系列软件控件保持一致。
ECCN 3D994和3E994进行了修改，在标题中添加了“专门设计”，以与其他990系列软件和技术控制保持一致。
ECCN 3E992进行了修订，在标题中添加了“和”技术“如下（见受控物品清单）”，并添加了第3E992.a段，以控制“专门设计”用于“开发”或“生产”3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、f.6、k至n、p.2、p.4、r中规定的商品的“技术”；或3B002.c；以及添加3E992.b来控制3E992.a中未指定的“技术”，该技术被设计或修改为在深紫外浸没光刻设备中或与深紫外浸渍光刻设备一起执行指定操作。
iii.延长FDP IFR的评论期
该IFR将FDP IFR的书面意见截止日期延长至2025年3月14日。这一延期是为了让评论者有更多的时间来审查在FDP IFR中对EAR的额外修订和澄清，并通过BIS正在进行的关于FDP IFR的公众宣传以及将为该IFR进行的公众宣传来了解他们的意见。延长FDP IFR的公众意见征询期不会改变该规则的生效日期。
四、 公众评论
BIS欢迎公众对这些额外的尽职调查修订以及本IFR中包含的任何其他变更发表意见。
五、保留条款
a.整个IFR0的保留条款
对于因本监管行动而被取消许可证例外或出口、再出口或转让（国内）NLR资格的物品，在[插入日期为《联邦公报》公布日期后15天]由承运人运往出口、再进口或转让（在国内）港口的途中，根据实际订单，可以根据之前的许可证例外资格或出口、转口或转让（境内）NLR前往该目的地，前提是出口、再进出口或转让（本国）已完成不迟于[在《联邦公报》上公布日期后45天插入日期]。
b.本IFR对先前授权的某些交易的保留条款
如果在本监管行动生效日期前的十二个月内，BIS豁免了根据§744.11（c）或744.23（b）发布的通知所规定的许可要求对某一物品的出口、再出口或转让（国内），那么在BIS未采取额外行动的情况下，该物品的出口或再出口或转移（国内）将免于本监管行动所规定的任何许可要求。
编辑：芯智讯-浪客剑
