SK海力士今天正式宣布，将在韩国和中国投资3.16万亿韩元(约合27亿美元)以提高存储芯片产能，抓住行业内需求增长的机遇。
作为全球第二大存储芯片制造商，SK海力士表示，将投资2.2万亿韩元在韩国南部新建一座NAND闪存芯片工厂，并同时投资9500亿韩元(约合7.93亿美元)提高现有中国无锡工厂的DRAM内存芯片产能。
移动设备存储需求的增长和固态硬盘在PC、数据中心的使用已促使SK海力士对手三星电子、东芝提高在芯片生产上的投资。“为了实现进一步增长，提前确保芯片产能很重要，这样才能应对3D NAND技术引领的NAND闪存市场增长，”SK海力士在一份声明中称。
市场研究公司IHS预计，明年NAND闪存芯片行业收入将同比增长5.9%至357亿美元，高于今年的5.7%增速。
SK海力士股价今年已经累计上涨了大约49%，有望创下自2009年以来的最大涨幅。在周四早盘交易中，SK海力士股价上涨2%，超过了大盘指数涨幅。
此外，继三星发布了业界首款8GB LPDDR4内存之后，昨天SK海力士也正式推出了推出新一代8GB LPDDR4内存，该内存单芯片封装，适合用于智能手机、平板机。
此次海力士发布的8GB（64Gb）LPDDR4闪存，整合了四颗2GB(16Gb) DRAM IC，15×15毫米366/376-ball FBGA小型封装，兼容主流移动设备。也因是四颗2GB(16Gb) DRAM IC集成，被网友笑称胶水8GB。
可能有不少人疑惑，四颗16Gb集成，怎么会是8GB呢，下面解释下。B是Byte的缩写，b是bit的缩写，1B=8b ,我们通常说的8M宽带实际网速是1MB/S就是这个道理。
该内存采用21nm制程工艺，额定数据传输率3733MT/s (3733MHz)，带宽达29.8GB/s，共分为366 ball和376 ball两种规格。
366 ball可与SoC处理器、UFS NAND闪存堆叠封装，电压为1.8/1.1V，目前已开始出货，376 ball电压为0.6V超低档，更加节能，将会在2017年第一季度发货。
相比两个月前，三星推出的8GB LPDDR4。三星8GB LPDDR4使用的是更先进的10nm级别工艺，频率也高达4266MHz。也就是说两个月前三星发布的8GB LPDDR4性能强于此次海力士发布的。不过估计在价格方面也会更贵。
今年，6GB内存已经成为高端旗舰机标配，而随着明年8GB DDR4的发货，8GB闪存能否成为旗舰机的标配呢？小编还是相信国内的厂商肯定会有很快跟进的。面对智能手机市场对于内存需求的增长，也难怪SK海力士积极投资提升DRAM内存芯片产能。
编辑：芯智讯-林子
