日前，存储芯片大厂三星正式宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。

众所周知，目前全球主要的3D NAND Flash 大厂，包括三星、SK 海力士、东芝、美光等，都已经量产了64层堆叠的3D NAND Flash，不少已经开始更高的72层、96层甚至128层堆叠的3D NAND Flash上取得了进展。

而现在，随着采用96层堆叠、单Die 32GB容量的三星第五代V-NAND闪存芯片的大规模量产，使得三星在闪存技术成功领先竞争对手两年的时间。

相比之下，目前国产存储厂商在3D NAND领域仍处于起步阶段。紫光旗下的长江存储的32层3D NAND Flash还今年下半年才开始小规模量产，2019年64层128G 3D NAND Flash储器才会进入规模研发的阶段。与三星之间的差距可谓是非常之大。

与此同时，三星为了进一步巩固其领先的优势，还将进一步加大投入。据韩国产业链的消息人士透露，三星今年投资在NAND Flash闪存上的资本支出预计是64亿美元，2019年更是会提高到90亿美元。而这些投入首先是用于提高3D闪存的产能，包括位于平泽市和中国西安市的工厂，其次是先进技术。

虽然与一线存储厂商存在着非常大的差距，不过紫光也在奋力追赶。此前赵伟国就曾表示，紫光要成为比肩英特尔、三星的半导体巨头，首先就需要在资金投入上与三巨头站到同一起跑线。而这三家巨头每年在芯片上的投资额都是超越100亿美金的。

于是紫光计划10年内在芯片制造领域投资超1000亿美元，目前已经筹资1800亿人民币。

与此同时，紫光正在和重庆政府、国家大基金发起紫光国芯集成电路股份有限公司（以下简称“国芯集成”），注册资本1000亿人民币，注册地重庆。希望通过1000亿公司合计筹资1900亿。

赵伟国表示，这个1900亿加上之前已筹集的1800亿，就已经有了3700亿（约552.6亿美元），足够紫光五年的弹药。

所以从资金投入上来看，紫光确实将赶上三星在NAND Flash闪存上的资本支出。但这只是推动紫光缩小与三星等存储大厂之间差距的一个重要条件，而技术上的差距并不是直接投入更多资金就能够快速追赶上来的。

更为值得一提的是，根据IC Insights分析，从三星未来的资本支出方向来看，三星将会进一步释放产能，而未来几年，SK海力士、美光、Intel、东芝、西数/闪迪等都表态将扩NAND Flash存产能，由此可能会出现供应过剩的风险。而这对于以长江存储为代表的即将量产的国产存储厂商来说，可能不是一个好消息。三星等龙头大厂，未来可能将会通过价格战来阻挠国产存储厂商的发展。

编辑：芯智讯-林子