11月15日下午，紫光集团宣布正式，任命前尔必达CEO坂本幸雄（Yukio Sakamoto）为紫光集团高级副总裁兼日本分公司CEO，负责拓展紫光在日本市场的业务。

紫光集团董事长兼CEO赵伟国表示：“对于以创新驱动快速发展的紫光集团来说，人才建设尤为重要。坂本幸雄这样世界级人才的加入无疑将增强紫光集团的创新实力。希望有更多优秀的人才能够参与到紫光集团的发展大业中来。”

赵伟国同时强调，坂本幸雄的到来是紫光集团全球发展本地化战略的体现。希望紫光集团在全球各地的分公司，充分利用本地的人才，更好地服务本地的客户，并为本地市场的发展做出贡献。

坂本幸雄表示：“我非常荣幸加入紫光集团，紫光集团近年来的迅猛发展，以及形成的产业优势是我可以一展身手的大舞台。我将利用自己过往在专业领域的经验，结合紫光集团的发展战略，全力拓展日本市场，并助力紫光集团的全球化发展。”

助力紫光发展DRAM业务？

虽然紫光集团在公告中宣布，坂本幸雄担任紫光集团高级副总裁兼日本分公司CEO，主要负责拓展紫光在日本市场的业务。但是，从坂本幸雄过往的履历来看，紫光集团引入坂本幸一个重要原因可能是为了加速发展其DRAM业务。

资料显示，坂本幸雄在DRAM领域具有30余年的从业经验，在技术以及战略发展上拥有优秀的领导力，曾任日本德州仪器副社长、神户制钢电子信息科半导体部门总监理、联日半导体社长兼代表董事，以及曾经的存储大厂尔必达存储社长、代表董事兼CEO。

尔必达于2012年倒闭并由美光并购后，尔必达原社长坂本幸雄就与尔必达研发团队一些成员，另起炉灶新成立兆基科技（SKT），除了网罗台湾的力晶科技等DRAM部分人马加入。

2016年2月，有日本媒体爆出，为了继续开发DRAM先进技术，坂本幸雄领导的兆基科技可能将与合肥市政府合作，将往中国市场需求的DRAM发展，由合肥市政府分工负责生产制造事宜，第一步是设计物联网科技所需的低耗电DRAM芯片，预定最快两年后开始投产。届时12英寸晶圆月产能高达10万片，将会成为国内最大的内存厂。

2016年3月，日经新闻报道称兆基科技已经与合肥市政府正式签约。初期投资额8000亿日圆（460亿人民币），将聘工程师一千人。但是之后，却没有了下文。有观点认为，如果坂本幸雄领导的DRAM团队的技术来源是尔必达，那么必然会受到美光的打击，因为美光已经收购了尔必达，所以这可能是双方最终没有合作的原因。

2016年5月，国产DRAM厂商长鑫存储技术有限公司在合肥的成立，国内存储厂商兆易创新参与了对长鑫存储的投资合作。但是，外界依然怀疑长鑫存储的DRAM技术来源是与有着尔必达基因的坂本幸雄领导的DRAM团队有关。

不过，在今年5月15日的GSA Memory 论坛上，长鑫存储的董事长兼CEO朱一明首次披露了长鑫存储的DRAM技术来源。朱一明强调长鑫存储通过与奇梦达的合作，将一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据收归囊中，这也是公司最初的技术来源之一。

那么问题来了，传闻中的坂本幸雄的DRAM研发团队去哪了？

值得注意的是，今年6月30日晚间，紫光集团发布公告称，决定组建紫光集团DRAM事业群，全力加速发展国产内存。随后，在今年8月底，紫光集团又跟重庆市政府签署投资协议，宣布在重庆建设DRAM事业群总部及内存芯片工厂，预计今年底动工，2021年正式量产内存。

据知情人透露，紫光集团早在2015年即开始布局DRAM，延揽高启全加入紫光集团就是布局的开始，在高启全加入紫光集团的同时，紫光国微（原名同方国芯）收购了任奇伟团队所创办的公司（现在的西安紫光国芯），任奇伟团队的前身是奇梦达公司的西安研发中心，任奇伟团队一直从事DRAM的研发工作，目前团队人数约500人。也就是说，紫光集团的DRAM技术来源也是奇梦达。

从紫光国微的年报披露情况看，该团队的DRAM产品销售收入每年约在5~6亿人民币之间，其产品自行设计，在境外代工。2015年，紫光集团还试图通过收购美光进入DRAM和3D NAND领域，但收购美光受到美国政府的阻击，未能如愿以偿。

据知情人透露，紫光集团借助长江存储和武汉新芯的平台，聚集了大量的3D NAND和DRAM的工艺研发人员，工艺研发人员人数近2000人。目前长江存储和武汉新芯的员工人数近6000人。

在紫光集团大力发展DRAM技术的情况下，拥有着30余年的DRAM行业从业经验前尔必达CEO坂本幸雄的加入显然并不是简单的为紫光拓展在日本市场的业务，帮助紫光加快DRAM技术的研发可能才是关键。

另外需要指出的是，奇梦达的DRAM技术主要以沟槽式DRAM技术为主，而当前美光、三星等主流的DRAM大厂都采用的是堆栈式技术。

在沟槽式DRAM的制造中，必须先在基板蚀刻出沟槽，然后在沟槽中沉积出介电层，以形成电容器，然后在电容器上方再制造出栅极，构成完整的DRAM Cell。这种工艺最大的技术挑战有二，一是随着线宽越来越细，沟槽的宽深比跟着增加，如何蚀刻出这种沟槽，是相当大的技术挑战。其次，在进行沉积工艺时，由于沟槽的开口越来越细，要在沟槽里面沉积足够的介电材料，形成容值够高的电容器，也越来越难。相较之下，堆栈式DRAM则没有上述问题，因此随着工艺节点越往前推进，沟槽式DRAM的采用者越来越少。

当然，这并不是说长鑫存储、紫光集团的技术来源于奇梦达，就一定会完全沿着奇梦达的老路来走。但是，目前堆栈式DRAM技术已经相当成熟，要想绕开美光、三星的专利围堵，显然是非常的困难。此前，另外一家国产DRAM厂商——福建晋华就因为选择的就是堆栈式DRAM路线，就受到了美光的专利打击而导致最终的停摆。

所以如何在奇梦达技术的基础上，走出新的技术路线，同时规避美光等DRAM技术大厂的专利围堵，成为了国产DRAM厂商突围的关键。而作为拥有着30余年的DRAM行业从业经验的前尔必达CEO坂本幸雄，在堆栈式DRAM技术领域应该是拥有着极为丰富的技术积累，因为之前的尔必达就是走的堆栈式DRAM技术路线。

编辑：芯智讯-浪客剑