6月12日，乾照光电投资近16亿元的半导体研发生产项目在厦门翔安区举行了项目开工奠基仪式。

此前公告显示，乾照光电于2018年11月宣布拟出资15.97亿元建设VCSEL、高端LED芯片等半导体研发生产项目，由公司全资子公司厦门乾照半导体科技有限公司负责承办。

项目投产后，预测达产后年销售收入96,628.29 万元，达产年利润总额23,690.91万元，达产年投资利润率17.71%，投资利税率18.63%，全部投资所得税后财务内部收益率为21.72%；投资回收期6.01年。

乾照光电表示，砷化镓/氮化镓半导体器件主要依附于MOCVD进行外延生产，技术含量高；在军用和民用无线通讯等领域需求旺盛，而相关国内厂商稀缺，国家正大力支持该行业的迅速发展。

用砷化镓制作的器件，具有高频、高速和光电性能，主要用于通信产业。而第三代的材料氮化镓属于宽禁带半导体材料，以其宽禁带、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移率、化学性能稳定等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。