自从闪存进入3D时代，堆叠层数越来越高。最新的消息显示，三星下一代的第八代V-NAND闪存堆叠层数将超过200层，未来还可以做到1000层。

据韩国媒体报道称，近日三星执行副总裁兼闪存业务负责人Jaihyuk Song介绍了三星闪存芯片业务最新进展。

Jaihyuk Song表示，三星正积极推动第七代V-NAND闪存芯片（176层）的应用，并计划在今年下半年推出一款基于第七代V-NAND闪存芯片的消费类SSD。

据悉，三星第七代V-NAND闪存芯片拥有业界迄今为止最小的单元尺寸，三星还计划将第七代V-NAND闪存芯片的应用扩展至数据中心SSD领域。

Jaihyuk Song还透露，三星已经获得了具有200层以上的第八代V-NAND解决方案的工作芯片，并计划根据消费者的需求将其推向市场。

报道称，三星目前正在平泽的新工厂（2号厂）测试第七代176层V-NAND闪存的生产线，生产量为每月10,000片12英寸晶圆。预计在2021年下半年这条生产线投产后，将立即开始为第八代V-NAND闪存的大规模生产做准备。

编辑：芯智讯-林子