12月8日消息，SK 海力士今日在官网宣布，成功开发出 DDR5 多路合并阵列双列直插内存模组样品，这是目前业界最快的服务器 DRAM 产品。该产品的最低数据传输速率也高达8Gbps，较之目前DDR5产品4.8Gbps 提高了80%以上。

官方称，该 MCR DIMM 产品采用了全新的方法来以提高 DDR5 的传输速度。虽然普遍认为 DDR5 的运行速度取决于单个 DRAM 芯片的速度，但 SK 海力士工程师在开发该产品时另辟蹊径，提高了模块的速度而非单个 DRAM 芯片的速度。

SK 海力士技术团队在设计产品时，以英特尔 MCR 技术为基础，利用安装在 MCR DIMM 上的数据缓冲器 (data buffer) 同时运行两个内存列。

传统 DRAM 模块每次只能向 CPU 传输 64 个字节的数据，而在 MCR DIMM 模块中，两个内存列同时运行可向 CPU 传输 128 个字节的数据。每次传输到 CPU 的数据量的增加使得数据传输速度提高到 8Gbps 以上，是单个 DRAM 的两倍。

该产品的成功开发得益于与英特尔、瑞萨电子的合作。三家公司在从开发到速度和性能验证的各个阶段都进行了紧密的合作。

SK 海力士 DRAM 产品策划担当副社长柳城洙认为这款产品的成功开发取决于不同技术的结合。柳城洙表示：“SK 海力士的 DRAM 模块设计能力与英特尔卓越的 Xeon 处理器、瑞萨电子的缓冲器技术融为一体。为确保 MCR DIMM 的稳定运行，模块内外数据缓冲器和处理器能够顺畅交互至关重要。”

数据缓冲器负责从中间的模块传输多个信号，服务器 CPU 则负责接受和处理来自缓冲器的信号。

柳副社长还表示：“开发出业界速度最快的 MCR DIMM 充分彰显了 SK 海力士 DDR5 技术的又一长足进步。我们将继续寻求突破技术壁垒，巩固在服务器 DRAM 市场的领导地位。”

英特尔内存和 IO 技术副总裁 Dimitrios Ziakas 博士表示，英特尔与 SK 海力士在内存创新、针对服务器的高性能、可扩展的 DDR5 领域处于领先地位，在同一梯队的还有其他一些主要的行业合作伙伴。

“此次采用的技术源于英特尔和关键业界合作伙伴多年的共同研究，极大提高了英特尔 Xeon 处理器可提供的带宽。我们期待该技术能够应用到未来的英特尔 Xeon 处理器上，支持业界的标准化和多世代开发。”

瑞萨电子副总裁兼 Memory Interface 部门长 Sameer Kuppahalli 表示，该数据缓冲器从构思到实现产品化历经三年，“对于能够携手 SK 海力士和英特尔将该技术转化为优秀的产品，我们深感自豪。”

SK 海力士预计，在高性能计算对于内存带宽提升需求的驱动下，MCR DIMM 的市场将会逐步打开，公司计划在未来量产该产品。