德州仪器开始将GaN半导体生产工艺向8英寸过渡

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3月6日消息,据外媒报道,德州仪器正在将GaN(氮化镓)生产工艺从6英寸向8英寸过渡,以提高产能、获得成本优势。

德州仪器韩国总监Ju-Yong Shin表示,公司传统上采用6英寸工艺生产氮化镓半导体,达拉斯工厂有望在2025年之前过渡到8英寸工艺,日本会津工厂则正在将现有的硅基8英寸产线转换为GaN半导体产线。

据了解,德州仪器最近正在将其6英寸生产工艺转为8英寸,将8英寸生产工艺转为12英寸,以提高生产效率。8英寸晶圆的面积是6英寸晶圆的1.78倍,因此可以生产更多的半导体。12英寸晶圆的面积是8英寸晶圆的2.25倍。

Ju-Yong Shin表示,德州仪器传统上采用6英寸工艺生产氮化镓半导体,达拉斯工厂有望在2025年之前过渡到8英寸工艺。

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