4月6日消息，据《华尔街日报》报道，三星计划将大幅增加其在美国德克萨斯州泰勒市的半导体投资，预计将在计划的投资170亿美元建造一座5nm晶圆厂的基础上，再兴建一座新的先进制程晶圆厂、一座先进封装厂和一个研发中心，使得总体的投资金额达到约 440 亿美元 。

三星早在2021年宣布在美国德克萨斯泰勒市（Taylor）建一座5nm晶圆厂。虽然面临当地的通货膨胀、劳动力和材料成本上涨等挑战，使得该晶圆厂的投资额增长到了170亿元，但三星仍在推进其在美国建厂计划。如果一切顺利，该晶圆厂将于 2024 年下半年开始大规模生产。

至于第二座晶圆厂的建设计划，目前尚未有更多的信息披露，不过预计将是一座更先进的晶圆厂，耗资将超过200亿美元。

除了芯片生产外，三星计划增加高带宽内存（HBM）的产能，这是人工智能芯片所需的关键组件。而HBM生产的关键则在于先进封装，目前三星也在大力投资先进封装技术，例如2.5D和3D封装，以提高数据处理速度。这些技术进步对于保持三星在快速发展的半导体行业中的竞争优势至关重要。因此，三星计划在美国建先进封装厂也并不令人意外。

值得注意的是，当地时间4月3日，存储芯片大厂SK海力士已经宣布，将投资38.7亿美元在美国印第安纳州西拉斐特（West Lafayette）建造适于AI的存储器的HBM的先进封装生产基地，预计将于2028年下半年开始量产。同时与美国普渡（Purdue）大学等当地研究机构进行半导体研究和开发合作。

虽然三星尚未正式确认其在德克萨斯州的扩张计划，但据《华尔街日报》知情人士透露，三星将于 2024 年 4 月 15 日举行仪式，公布其追加投资的计划。

而为了支持三星在美国的半导体投资，美国商务部预计将会依据《芯片与科学法案》提供援助。此前，美国商务部已经宣布将向英特尔提供“芯片法案”85亿美元补贴，还有110亿美元低息贷款。

虽然目前还不清楚三星将会获得多少的补贴，不过之前有传闻称，三星将获得60亿美元的补贴款，高于台积电预计将获得的约50亿美元补贴。而三星之所以能够获得更多补贴，是因为其承诺加码投资美国。（台积电的总投资金额为400亿美元）

报道称，三星德克萨斯州泰勒园区的新增设施预计将在提升三星在美国的地位以及美国在全球半导体行业的地位方面发挥至关重要的作用。为了在美国与英特尔和台积电竞争，三星需要在美国提供先进的生产能力，其中包括生产 4nm以下节点的芯片。

编辑：芯智讯-浪客剑