​4月25日，韩国半导体巨头SK海力士（SK hynix）公布了2024年一季度财报。受益于AI推动存储芯片需求增长以及存储芯片价格的触底反弹，SK海力士一季度营收翻倍，获利更是创下了史上同月次高。

具体来说，SK海力士2024年一季度营收12.42万亿韩元（约90亿美元），创下历年同期最高，较去年同期暴涨144.3%，为2010年以来最快增速；营业利润达2.88万亿韩元（约20.9亿美元），远优于市场预期的1.8万亿韩元，并创下历史同月次高，与去年同期的亏损3.4万亿韩元相比，可谓是天壤之别。一季度营业利润率为23%，净利润率为15%，毛利率为39%，均达到了近期新高。

SK海力士表示，第一季业绩交出亮眼成绩，主要受益于AI需求持续强劲，存储市场正式进入全面复苏阶段。

具体来说，一季度DRMA出货量虽然环比下滑了15%，但是价格环比涨幅超过20%；NAND Flash出货量环比持平，但是价格环比涨幅也超过了30%

其中，SK海力士围绕AI所需的HBM（高带宽内存）积极扩产，并于3月宣布量产新一代HBM3E高带宽存储芯片（1bnm的HBM3E），同时应客户要求扩大HBM3E供应。上周五，SK海力士宣布已与台积电签署了协议，合作生产下一代高带宽内存HBM4芯片。

今年2月，SK海力士副总裁Kim Ki-tae（金基泰）在一篇博文中表示，虽然2024年才刚开始，但今年SK海力士旗下的HBM已经全部售罄。

在此次财报会上，SK海力士表示，正在增加其尖端HBM3E芯片的供应，并正在与一些客户就这类半导体的长期合同进行谈判。

SK海力士首席财务官Kim Woohyun表示:“凭借HBM领域业内最佳技术，已进入明显的复苏阶段。我们将继续致力于在正确的时间提供业内性能最佳的产品，坚持盈利优先，以改善财务业绩。”

展望后续市场，SK海力士认为，在智能手机、个人电脑和传统服务器需求升温带动下，下半年起存储市况有望好转，有助获利表现持续上升。

Counterpoint Research董事Tom Kang预计，SK海力士今年的营收将达到近61万亿韩元，利润率将超过20%。他表示：“这是一个明显的转机，也是SK海力士创纪录一年的开始。”

在资本支出方面，Kim Woohyun表示，2024年的投资将略高于年初的计划，大部分支出将集中在高利润产品和基础设施上，以实现中期持续增长。此外，SK海力士还将根据市场趋势提高传统DRAM供应，预计将带动全球存储器市场稳步增长，提升公司的投资效率和财务稳健性。

具体来说，针对HBM和传统DRAM需求，投资将更多偏向DRAM。同时，目前有两个大的项目，一个是总投资20万亿韩元（其中基建5.3万亿韩元）的新的DRAM工厂——M15X晶圆厂，计划2025年投产。并且，在M15X工厂附近还扩大TSV产能来提高生产HBM的效率。基于长期乐观需求，龙仁晶圆厂将于2027年5月投产。另一个大型投资项目则是美国印第安纳州先进封装工厂，总投资38.7亿美元，主要用于AI 存储产品，计划2028年投产。

编辑：芯智讯-浪客剑