ASML High NA EUV创下新纪录:晶圆制造速度提升150%,可打印8nm线宽

 ASML High NA EUV创下新纪录:晶圆制造速度提升150%,可打印8nm线宽

5月30日消息,光刻机大厂ASML在imec(比利时微电子研究中心)的ITF World 2024会议上宣布,其首款High-NA EUV光刻机已创下新的晶圆制造速度记录,超过了两个月前创下的记录。

根据ASML前总裁兼首席技术官、现任公司顾问的Martin van den Brink的说法,新的High-NA EUV光刻机晶圆生产速度达到了每小时400至500片晶圆,是当前标准EUV每小时200片晶圆的2-2.5倍的速度,即提升了100%至150%,将进一步提升产能,并降低成本。

现阶段经过进一步调整,ASML已经可用其试验性质High-NA EUV光刻机打印生产8nm线宽,这是的新纪录,这打破了该公司在4月初当时创下的记录。当时ASML宣布,已使用位于ASML荷兰总部与imec联合实验室的试验型High-NA EUV光刻机打印了10nm线宽。

就发展路线来说,ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽,而新的High-NA EUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管。ASML现在已经证明其设备可以满足其基本规格。

Martin van den Brink强调,ASML当前已经取得了进展,能够在整个打印线宽作业上将其低至8奈米记录,并进行校正,而且还具有一定程度的重叠覆盖。因此,ASML对High NA EUV光刻机的发展充满信心,预计未来将能够在突破其极限。

而除了ASML自己在进行High NA EUV光刻机的测试之外,目前唯一安装完成High NA EUV光刻机的英特尔,也在美国俄勒冈州的D1X工厂投入测试工作。预计将在Intel 18A节点制程上进行技术的研发与训练工作,之后再将其投入到Intel 14A节点制程的大量生产当中。

Martin van den Brink指出,ASML已经可以开发更新一代的Hyper-NA EUV光刻机了,以进一步扩展其High-NA EUV光刻机的潜在路线图。

编辑:芯智讯-浪客剑

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