当地时间6月26日周三美股盘后，存储芯片大厂美光科技发布了截至5月30的2024财年第三财季财报。尽管第三财季财报的业绩优于市场预期，但对于第四财季的业绩指没有超出预期的内容，这也导致美光科技盘后股价一度大跌超9%。

第三财季业绩超预期，平均单价上涨20%

根据财报显示，美光第三财季总营收为68.1亿美元，较上年同期的37.5亿美元同比增长81.6%，超过FactSet预期的66.7亿美元，也高于上个财季的收入58.2亿美元；营业利润9.41亿美元，高于市场预期的8.691亿美元；调整后营业利润率28.1%，也好于预期的26.5%；净利润为3.32亿美元，而去年同期为净亏损19亿美元；每股收益为0.3美元，去年同期为每股亏损1.73美元，第三财季调整后的每股收益为0.62美元，高于市场预期的0.48美元。

从具体的业务来看，美光第三财季的DRAM收入环比增长13%，达到47亿美元，符合市场预期；NAND Flash收入环比增长32%，达到了21亿美元，高于FactSet预期的19亿美元。需要指出的是，第三财季美光的DRAM和NAND Flash的平均单价（ASP）均环比增长了约20%。

美光第三财季的业绩增长主要得益于AI推动了数据中心对于存储芯片的需求，特别是对于更高性能的内存解决方案需求的增长，以及存储芯片的涨价。

美光CEO Sanjay Mehrotra也表示，“在数据中心方面，快速增长的AI需求使我们的收入与上季相比增加超过50%。”美光在第三财季开始增加高频宽內存（HBM）的出货量，其HBM3E产品在此期间带来了超过1亿美元的利润。

Mehrotra进一步指出，用于AI芯片的HBM芯片订单在2025年之前已经售罄/脱销。下一财年，美光的HBM年收入可能高达“数十亿美元”。

此外，美光公司还“推动了强劲的价格上涨”。“人工智能驱动的数据中心产品需求强劲，导致我们的前沿节点供应紧张。因此，尽管个人电脑和智能手机的短期需求保持稳定，但我们预计2024自然年全年的产品价格将继续上涨。改进的定价，加上我们日益强化的产品组合，使我们在所有终端市场的获利能力提升。”Mehrotra说道。

第四财季指引没有惊喜

美光预计第四财季营收将在74亿美光至78亿美元间，分析师预估的均值为75.8亿美元，但也有些预测高于80亿美元。比如，花旗分析师此前就曾指出，考虑到DRAM的涨价趋势和美光在AI内存领域的市场份额与产品范围不断拓展，预计该公司第四财季的营收将进一步增至80亿美元。

美光预计第四财季剔除特定项目后的每股收益预计约为1.08美元，略高于市场预估的1.02美元。

尽管AI热潮令美光第三财季业绩同比大涨，但个人电脑和智能手机等传统市场的需求仍然低迷。美光对于第四财季的业绩展望也显示，这些领域从去年遭遇历史性下滑后恢复的速度不如一些人期待的那么快。

或许是由于第四财季的业绩指引没有超出预期的内容，美光盘后股价一度大跌超9%，虽然有所反弹，但最终仍下跌近8%。

Running Point Capital投资负责人舒曼（Michael Schulman）说：“美光基本上符合预期的预测，如果是两三个月前，可能已经足够优秀，但却不足以满足当前的殷切期盼，尤其是在股价今年来大涨67%之后。”

Creative Strategies分析师巴加林（Ben Bajarin）表示，股价在盘后的变动主要是预测不如预期。

2025年将迎来创纪录的营收

对于2025财年的预期，Mehrotra表示：“展望2025年，对AI个人电脑和AI手机的需求，以及数据中心AI的持续增长，为我们提供了有利的布局，让我们有信心在2025财年实现大幅收入增长，且随着我们持续转向至高利润产品组合，获利能力显著提升。”

美光首席运营官Sumit Sadana则进一步指出，2024年标志芯片行业的反弹，2025年将缔造创纪录的销售水平。AI将推动对HBM这种昂贵芯片的需求，这种芯片更难制造，并将暂占用很大一部分的生产资源，应该会降低未来库存过剩的风险。

基于此，美光预计 2025 财年资本支出将大幅增加，主要用于 HBM 封装、工厂建设和技术转型。其中，美光位于美国爱达荷州和纽约州的建设是长期供应增长的必要条件，预计从 2027 财年起将对业绩带来重大贡献。

美光的 2027 财年从 2026 年 9 月开始，因此位于爱达荷州博伊西附近的新工厂将于 2026 年 9 月至 2027 年 9 月之间开始运营。该公司的 2028 财年从 2027 年 9 月开始，因此该工厂可能会在 2028 年或之后开始运营，这可能取决于未来几年对 DRAM 内存的需求。也就是说，美光在美国的存储工厂将在 2026 年底至 2029 年之间开始运营，这与该公司最初的计划一致。

美光 2024 财年的资本支出 (CaPex) 计划约为 80 亿美元，晶圆制造设备 (WFE) 支出同比有所减少。2024 财年第四季度，该公司将在晶圆厂建设、新晶圆厂工具以及各种扩建/升级上花费约 30 亿美元。展望 2025 财年，该公司计划大幅增加资本支出，目标是将收入的 35% 用于支持各种技术和设施改进。特别是，该公司预计其季度资本支出平均将超过 2024 财年第四季度的 30 亿美元水平，这意味着它计划在 9 月底开始的 2025 财年支出约 120 亿美元。

2025 财年总资本支出增加的一半或更多（即超过 20 亿美元）将用于在爱达荷州和纽约州建造新晶圆厂。与此同时，2025 财年资本支出将大幅增加，以资助高带宽内存 (HBM) 组装和测试以及制造和后端设施的建设。这一增长还包括对技术转型的投资，以满足不断增长的需求。

“爱达荷州的晶圆厂建设正在进行中，我们正在努力完成纽约的监管和许可程序， ”Mehrotra)在公司与投资者和金融分析师的电话会议上表示：“这些额外的尖端产能，以及我们亚洲工厂（主要是日本广岛工厂，美光已开始在该工厂利用EUV生产DRAM，并正在该晶圆厂附近建设新的晶圆厂）的持续技术转型投资，是满足本世纪下半叶及以后的长期需求所必需的。这些投资支持我们的目标，即随着时间的推移保持我们目前的位份额，并根据长期行业位需求增加我们的内存位供应。 ”

机构CFRA预测，HBM可能在2025财年占到美光科技DRAM收入的20%以上，目前占比仅为个位数百分比。随着美光科技收入组合转向更高价值的产品，应该会显著提升毛利率，例如2025财年末的毛利率会超过50%，较今年2月份结束财季的20%翻倍。

编辑：芯智讯-浪客剑