2月12日消息，据韩国媒体ZDnet Korea援引TechInsights的报告称，中国DRAM厂商中国长鑫存储（CXMT）正在加速开发下一代DRAM，该公司并没有按照原计划为首款商用的DDR5产品采用17nm制程技术，而是采用了更先进的16nm制程技术。此外，长鑫存储的下一代15nm制程技术也在现有制程基础上进行开发当中，目标是在2025年内开发完成，并最快在2026年下半年实现商业化的目标。

报道称，TechInsights近期拆解了中国内存模组厂商光威（Gloway）近期所发布的DDR5模组（16GBx2 DDR5-6000 UDIMM），结果在该产品中发现了16个由CXMT生产的16Gb的DDR5內存芯片。经过分析认为，长鑫存储的16Gb DDR5芯片尺寸为66.99mm²，位元密度为0.239Gb/mm²，电路线宽估计为16nm。长鑫存储将此产品定名为“G4”，与上一代G3（18nm）相比，DRAM单元尺寸缩小了20%。相较之下，韩国三星、SK海力士等公司在2016年发表的16nm DRAM制程技术，则将其定名为「1y」制程技术。

报导指出，长鑫储存此前主要生产的产品是采用17~18nm制程的DDR4、LPDDR4X等较成熟产品。但是2024年11月，该公司首次发布了LPDDR5产品。此外，在2025年稍早成功达成了DDR5商业化的目标。此，有消息指出长鑫存储对于此次DDR5所采用的G4制程非常有信心。如今事实证明，长鑫存储下一代DRAM制程开发的速度比原计划的要快。

TechInsights 表示，长鑫存储一直在同时开发17nm和16nm的制程技术，在开发出17nm制程技术之后，又紧接着完成16nm制程技术的的开发。因此，首款商用的DDR5产品不是采用G4的17nm制程技术，而是采用了更先进的16nm制程技术。

另外，长鑫存储的G5原计划发展15nm制程技术，但受限于美国加重先进半导体制造设备的出口限制，在无法引进EUV先进制造设备情况下只能暂缓。不过，随着技术开发的成熟，预计利用现有设备长鑫存储也足以开发和量产下一代制程，因为即便是美光的13nm DRAM制程技术也没有采用使用EUV。

2019年，三星电子和SK海力士开发出了称为“1z”的15nm DRAM制程技术。目前两家公司都致力于定名为“1b” 的12nm DRAM制程技术量产。虽然韩国和中国之间的DRAM制程技术仍然存在着差距，但随着中国的技术进步，其差距已经越来越小。

TechInsights 强调，长鑫存储的G5制程技术预计在2025年年底开发完成，2026年一旦完成样品，预计下半年就能看到G5制程技术的产品上市。不过，一开始的良率可能不会太好。而且，即便技术仍持续开发中，但长鑫存储仍存在挑战。因为接下来更先进的DRAM制造除了需要EUV等曝光技术外，还需要几种先进的生产设备，包括高深宽比HAR和低温蚀刻等，这些设备也因美国限制规定而难以取得。因此，中国方面目前正积极推行制程优化和先进制程设备的国产化，以期望能突破此一瓶颈。

编辑：芯智讯-浪客剑