作为车规功率器件领域的持续深耕者，真茂佳公司近日携全电压覆盖、全场景适配的SiC产品矩阵亮相上海慕尼黑电子展，为行业提供高性能器件，助力客户在高效能源时代抢占先机。

全电压覆盖：技术突破、性能全面跃升

本次展会真茂佳展示了650V-3300V全系列的SiC产品。

650V-1200V车规级/非车规产品：针对新能源汽车电驱系统、OBC（车载充电机）及DC-DC转换器，提供超低导通电阻（RDS(on)）和快速开关特性，显著提升整车能效比，助力800V高压平台车型实现更长续航与更短充电时间。

1700V-3300V工业及光伏产品：面向光伏逆变器、储能变流器、柔性直流输电等领域，以高耐压、高可靠性和抗浪涌能力，保障兆瓦级系统稳定运行，降低全生命周期度电成本。

封装多元：灵活适配、高密度集成

分立器件包含TO247 、TO263、T2PAK、TOLL封装。模块包含HSOP8、Half-Bridge、B6-Bridge、TNPC等形式。

真茂佳在本次展会上重点展示了应用于储能领域3300V 640mΩ的TO263-7单管，应用于电驱的1200V 20mΩHSOP8模块、应用于OBC等高频领域的1200V 40mΩ的TO247-4单管和1200V 60mΩ的T2PAK单管、应用于光伏充电桩的1200V 10mΩ easy 1b半桥模块和1200V 30mΩ easy 1b全桥模块 。

细节打磨：适配不同领域的系列产品

以下针对ZMJ的几款典型产品做介绍：

●SHVSiC系列：ZMC100KR330B7：3300V 640mΩTO263-7单管，适用于储能等超高压应用，耐压能力强，BV>4000V,高安全余量。RDS(on) x Qg 优值小，性能更好。

●RobustSiC系列：ZMCA020R120H8，1200V 20mΩHSOP8模块，，适用于电机应用，GOX可靠性高，短路时间Tsc>3us,抗雪崩能力强，可通过超越AECQ标准的2000H HTRB 、HTGB验证。

●SpeedSiC系列：ZMCA040R120C4，1200V 40mΩTO247-4单，适用于电源高频应用，具有优异的Rsp、RDS(on) x Qgd、RDS(on) x Coss特性，Qgs/Qgd高，抗寄生导通能力强，同时具有行业领先的Eon/Eoff特性。

●ZMC100KR170C3：1700V 1000mΩTO247-3单管，包含适用于车规/工业级，兼容Vgs=18V/12V驱动，具有优异的Rsp和RDS(on) x Qgd特性，适用于高频应用。

真茂佳亮相上海慕尼黑电子展，展示第三代半导体创新产品

在本次上海慕尼黑电子展上，真茂佳重点展出了最新研发的增强型GaN晶体管，并展示了8英寸GaN晶圆，吸引了众多行业专业人士的关注和交流。

1. 展出的第三代半导体产品

本次展出的100V增强型GaN晶体管将装配QFN 3×5封装，主要参数包括：

•耐压：100V

•阈值电压（Vth）：~2V

•最大导通电阻（Rds(on)）：3.8mΩ

该产品适用于电机驱动、DC/DC转换器等高效率电源应用，尤其适合40V~60V降至5V~12V的高功率密度模块设计。预计2025年Q4，真茂佳还将推出WLCSP封装版本，以适配激光雷达、D类音频放大器等更广泛的应用场景。

2. 产品核心优势

（1）高可靠性栅极设计

•采用专利保护的ESD结构，HBM（人体放电模型）静电防护能力达到±2000V，提升器件在严苛环境下的稳定性。

（2）高效率与低损耗

•3.8mΩ的超低导通电阻，减少开关损耗的同时，提升系统能效。

（3）灵活封装方案

•当前提供QFN封装，适用于工业级电源模块；

•后续将推出WLCSP封装，满足小型化、低寄生以及高集成度需求。

现场交流与合作

展会期间，真茂佳团队与多家行业客户及合作伙伴深入探讨了GaN技术在电源管理、电机驱动、激光雷达等领域的应用，并收集了宝贵的市场反馈。

关于真茂佳

真茂佳专注于先进功率半导体设计与特色封测工艺的高新技术企业。公司致力于为客户提供高性能、高可靠性的功率电子解决方案。在第三代半导体领域，真茂佳持续投入研发，优化产品性能，拓展更多应用场景，助力行业创新。