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传三星2nm良率最多20%,已撤出美国泰勒厂人员

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9月12日消息,据韩媒Business Korea报道,由于 2nm 良率持续存在问题,三星电子已决定从其位于美国的泰勒工厂撤出人员,这标志着其先进的代工业务遭受重大挫折。该决定是在大规模生产时间表一再推迟之后做出的,现在量产时间已从原来的2024年底推迟到了2026年。

传三星获得安霸2nm芯片代工订单

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9月12日消息,据韩国媒体The Elec报导,三星已获得美国边缘AI芯片公司安霸(Ambarella)的2nm芯片代工订单,目标是2025年出货,预计2026年底或2027年实现商业化生产。

英飞凌成功推出全球首款300mm GaN晶圆

当地时间9月11日,英飞凌科技股份公司(infineon)宣布,公司已成功开发出全球首款300毫米(12英寸)功率氮化镓(GaN)晶圆技术。英飞凌是世界上第一家在现有且可扩展的大批量制造环境中掌握这项突破性技术的公司。这一突破将有助于大幅推动基于 GaN 的功率半导体市场。与 200 mm 晶圆相比,300 mm 晶圆上的芯片生产在技术上更先进,效率更高,因为更大的晶圆直径每个晶圆可容纳 2.3 倍的芯片。