日期 2021 年 3 月 14 日

三星展示全球首个3nm SRAM芯片:基于MBCFET技术,写入电压低至230mV

三星在去年年初就宣布他们攻克了3nm工艺的关键技术GAAFET全环绕栅极晶体管工艺,预计会在2022年正式推出这种工艺,目前关于此工艺的消息甚少。不过,近日外媒tomshardware报道称三星在近日的IEEE国际集成电路会议上,首次展示了采用3nm工艺制造的SRAM存储芯片,并公布了3GAE工艺的一些细节。

晶圆代工产能供不应求,多家IC设计厂商抢订明年产能

自去年下半年以来,全球晶圆代工产能严重紧缺,由此也给IC设计厂商带来了巨大的挑战,不仅产品交付大幅推迟,成本也大幅提升。而从目前的形式来看,今年晶圆代工产能紧缺的问题仍难以缓解,为避免明年面临同样的困境,不少IC设计厂商已纷纷提前抢订产能。