日期 2021 年 12 月 13 日

IBM与三星合作开发VTFET芯片技术:性能可提升200%

根据外媒报导,在美国加州旧金山举办的IEDM 2021 当中,IBM与三星共同推出了名为垂直传输场效应晶体管(VTFET) 技术。该技术将晶体管以垂直方式堆叠,并且让电流也改以垂直方式进行流通,如此可使得晶体管数量密度再次提高之外,更大幅提高电源使用效率,并且突破目前在1nm制程设计上所面临的瓶颈。

“智微见著·踏物寻机”!2021中国AIoT产业年会顺利召开!

站在数字经济时代AIoT快速发展的关键节点,物联网智库联合挚物AIoT产业研究院于12月9日在深圳盛大举办了“2021中国AIoT产业年会”。本次大会以“智微见著·踏物寻机”为slogan,希望通过AIoT在不同领域落地的细节来洞察未来趋势,并帮助企业探索应用创新与发展机遇。

推动摩尔定律超越2025,英特尔展示封装、晶体管和量子物理学关键技术突破

12月12日消息,在2021 IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,英特尔公布了其在不懈推进摩尔定律的过程中,在封装、晶体管和量子物理学方面的关键技术突破:即通过混合键合(hybrid bonding)将在封装中的互连密度提升10倍以上,晶体管微缩面积提升30%至50%;在全新的功率器件和内存技术上已取得重大突破;基于物理学新概念所衍生的新技术,在未来可能会重新定义计算。