三井化学将量产EUV光罩保护膜，或将采用碳纳米管材料
6月18日消息，日本化工大厂三井化学日前宣布，将开始量产EUV光罩保护膜（pellicles），可支持ASML将推出的下一代拥有超过600W光源功率的EUV光刻机。为此，三井化学计划在日本山口县岩国大竹工厂内设置生产线，计划年产能为5000张，生产线预计于2025年12月完工。
日期 2024 年 6 月 18 日
总投资120亿元，士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目开工
6月18日，功率半导体大厂士兰微旗下合资公司——厦门士兰集宏半导体有限公司（简称“士兰集宏”）的8英寸SiC（碳化硅）功率器件芯片制造生产线项目正式在厦门市海沧区开工。
传铠侠已结束减产计划，产能利用率已回升至100%！
6月18日消息，最新的市场消息显示，日本存储芯片大厂铠侠（Kioxia）近期已经结束了NAND Flash减产策略，其位于日本三重县四日市和岩手县北上市两座工厂的产能利用率都已回升到了100%。
12年来首次！三星批准了“GPU投资提案”
6月18日消息，据韩国媒体Business Korea报导，根据三星的公司治理报告，三星管理委员会在今年3月批准了“GPU投资提案”，不过三星并未透露GPU投资提案的细节。
支持在CPU/GPU上堆叠HBM内存，三星SAINT-D封装技术今年商用
6月18日消息，据《韩国经济日报》报道，三星将于今年推出高带宽内存 (HBM) 的 3D 封装服务，该报道援引了三星日前在美国圣何塞举行的 2024 年三星代工论坛上的声明以及“业内消息人士”的说法，三星 3D 封装技术基本上将为2025 年底至 2026 年的HBM4集成铺平道路。
环球晶圆意大利12英寸晶圆厂将获1.03亿欧元补贴
6月18日，半导体硅片大厂环球晶圆宣布，其意大利子公司MEMC S.p.A.的扩产计划将获得约1.03亿欧元的欧盟执委会、意大利企业暨意大利制造部的计划补助。
2024年全球先进封装设备将同比增长6%至31亿美元
6月18日消息，半导体市场研究机构TechInsights最新公布的2024年第一季度先进封装设备市场数据显示，2024年用于先进封装的晶圆厂设备预计将同比增长6%，达到31亿美元。
遭黑客攻击后，环球晶圆多数厂区已于6月18日恢复出货
针对12日晚间部分厂区信息系统遭黑客攻击一事，半导体硅片大厂环球晶圆厂于6月17日发布公告称，受影响的厂区上周已局部恢复生产，多数厂区18日恢复出货。
投资2.7亿元，英飞凌在中国台湾成立先进汽车暨无线通讯半导体研发中心
6月17日，汽车芯片大厂英飞凌宣布了“英飞凌先进汽车暨无线通信半导体前瞻研究伙伴发展计划”，将依据该计划对在中国台湾已有的“无线通信研发实验室”升级，并成立“英飞凌先进汽车暨无线通信半导体研发中心”，将携手当地的产学研合作伙伴，共同开发汽车级通信芯片及创新的应用解决方案。这项计划的总金额为新台币12亿元（约合人民币2.7亿元），并获得经济部A+项目支持，预计将带动中国台湾汽车电子产业产值达新台币600亿元。
3D NAND原厂垂直单元效率对比，哪家存储效率更高？
近日市场研究机构Techinsights对于三星、SK海力士/Solidigm、美光、KIOXIA/WD、YMTC的200层以上的3D NAND Flash进行了对比分析，发现三星的垂直单元效率 (VCE，vertical cell efficiency) 是最高的。
